摘要：Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ是三星公司生產(chǎn)的大容量閃存芯片，它的單片容量可高達２５６Ｍ。文中主要介紹了Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的特性、管腳功能和操作指令，重點說明了Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ閃存的各種工作狀態(tài)，并給出了它們的工作時序。

          關(guān)鍵詞：閃存；Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ；大容量 Flash

閃存（ＦＬＡＳＨ ＭＥＭＯＲＹ閃爍存儲器）是一種可以進行電擦寫，并在掉電后信息不丟失的存儲器，同時該存儲器還具有不揮發(fā)、功耗低、擦寫速度快等特點，因而可廣泛應(yīng)用于外部存儲領(lǐng)域，如個人計算機和ＭＰ３、數(shù)碼照相機等。但隨著閃存應(yīng)用的逐漸廣泛，對閃存芯片容量的要求也越來越高，原來３２Ｍ、６４Ｍ的單片容量已經(jīng)不能再滿足人們的要求了。而 Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＸ０Ｍ的出現(xiàn)則恰好彌補了這一不足。Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＸ０Ｍ是三星公司開發(fā)的目前單片容量最大的閃存芯片，它的單片容量高達２５６Ｍ，同時還提供有８Ｍ額外容量。該閃存芯片是通過與非單元結(jié)構(gòu)來增大容量的。芯片容量的提高并沒有削弱Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＸ０Ｍ的功能，它可以在４００μｓ內(nèi)完成一頁２１１２個字節(jié)的編程操作，還可以在２ｍｓ內(nèi)完成１２８ｋ 字節(jié)的擦除操作，同時數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)能以５０ｎｓ／ｂｙｔｅ的速度讀出。
                

    Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ大容量閃存芯片的Ｉ／Ｏ口既可以作為地址的輸入端，也可以作為數(shù)據(jù)的輸入／輸出端，同時還可以作為指令的輸入端。芯片上的寫控制器能自動控制所有編程和擦除操作，包括提供必要的重復(fù)脈沖、內(nèi)部確認和數(shù)據(jù)空間等。

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Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的主要特點如下：

●采用３．３Ｖ電源；

●芯片內(nèi)部的存儲單元陣列為（２５６Ｍ＋８．１９２Ｍ）ｂｉｔ×８ｂｉｔ，數(shù)據(jù)寄存器和緩沖存儲器均為（２ｋ＋６４）ｂｉｔ×８ｂｉｔ；

●具有指令／地址／數(shù)據(jù)復(fù)用的Ｉ／Ｏ口；

●在電源轉(zhuǎn)換過程中，其編程和擦除指令均可暫停；

●由于采用可靠的ＣＭＯＳ移動門技術(shù)，使得芯片最大可實現(xiàn)１００ｋＢ編程／擦除循環(huán)，該技術(shù)可以保證數(shù)據(jù)保存１０年而不丟失。表１所列是Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ閃存芯片的編程和擦除特性參數(shù)�！�

表中的ｔＣＢＳＹ的最長時間取決于內(nèi)部編程完成和數(shù)據(jù)存入之間的間隔。

表1 K9K2GXXU0M的編程和擦除特性

    ２�。耍梗耍玻牵兀兀眨埃偷墓苣_說明

Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ有４８個引腳，其引腳排列如圖１所示。具體功能如下：

Ｉ／Ｏ０～Ｉ／Ｏ７：數(shù)據(jù)輸入輸出口，Ｉ／Ｏ口常用于指令和地址的輸入以及數(shù)據(jù)的輸入／輸出，其中數(shù)據(jù)在讀的過程中輸入。當(dāng)芯片沒有被選中或不能輸出時，Ｉ／Ｏ口處于高阻態(tài)。

     ＣＬＥ：指令鎖存端，用于激活指令到指令寄存器的路徑，并在ＷＥ上升沿且ＣＬＥ為高電平時將指令鎖存。

ＡＬＥ：地址鎖存端用于激活地址到內(nèi)部地址寄存器的路徑，并在ＷＥ上升沿且ＡＬＥ為高電平時，地址鎖存。

ＣＥ：片選端用于控制設(shè)備的選擇。當(dāng)設(shè)備忙時ＣＥ為高電平而被忽略，此時設(shè)備不能回到備用狀態(tài)。

ＲＥ：讀使能端，用于控制數(shù)據(jù)的連續(xù)輸出，并將數(shù)據(jù)送到Ｉ／Ｏ總線。只有在ＲＥ的下降沿時，輸出數(shù)據(jù)才有效，同時，它還可以對內(nèi)部數(shù)據(jù)地址進行累加。

ＷＥ：寫使能控制端，用于控制Ｉ／Ｏ口的指令寫入，同時，通過該端口可以在ＷＥ脈沖的上升沿將指令、地址和數(shù)據(jù)進行鎖存。

ＷＰ：寫保護端，通過ＷＰ端可在電源變換中進行寫保護。當(dāng)ＷＰ為低電平時，其內(nèi)部高電平發(fā)生器將復(fù)位。
                      

     Ｒ／Ｂ：就緒／忙輸出，Ｒ／Ｂ的輸出能夠顯示設(shè)備的操作狀態(tài)。Ｒ／Ｂ處于低電平時，表示有編程、擦除或隨機讀操作正在進行。操作完成后，Ｒ／Ｂ會自動返回高電平。由于該端是漏極開路輸出，所以即使當(dāng)芯片沒有被選中或輸出被禁止時，它也不會處于高阻態(tài)。

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