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一種有源箝位Flyback軟開關(guān)電路設計

發(fā)布時間:2007/8/20 0:00:00 訪問次數(shù):447

摘要:介紹了一種有源箝位Flyback變換器ZVS實現(xiàn)方法,并對其軟開關(guān)參數(shù)重新設計。該方案不但能實現(xiàn)主輔開關(guān)管的ZVS,限制輸出整流二極管關(guān)斷時的di/dt,減小整流二極管的開關(guān)損耗,同時也有效地降低了開關(guān)管的電壓應力。

    關(guān)鍵詞:零電壓開關(guān);電流反向;有源箝位

  引言

  Flyback變換器由于其電路簡單,在小功率場合被普遍采用。但是,由于變壓器漏感的存在,引起開關(guān)管上過高的電壓應力。普通的RCD嵌位Flyback變換器其漏感能量消耗在嵌位電阻R上,開關(guān)管上電壓應力的大小取決于消耗在嵌位電阻上能量的大小。消耗在嵌位電阻上的能量越多,開關(guān)管的電壓應力就越低,但也影響了整個變換器的效率,因此,普通的RCD嵌位Flyback變換器總存在著開關(guān)管電壓應力與整個變換器效率之間的矛盾。

  輕小化是目前電源產(chǎn)品追求的目標。而提高開關(guān)頻率可以減小電感、電容等元件的體積。但是,開關(guān)頻率提高的瓶頸是開關(guān)器件的開關(guān)損耗,于是軟開關(guān)技術(shù)就應運而生。一般,要實現(xiàn)比較理想的軟開關(guān)效果,都需要有一個或一個以上的輔助開關(guān)為主開關(guān)創(chuàng)造軟開關(guān)的條件,同時希望輔助開關(guān)本身也能實現(xiàn)軟開關(guān)。

  本文介紹的一種有源嵌位Flyback軟開關(guān)電路,不但能實現(xiàn)ZVS,而且也解決了前述的普通RCD嵌位Flyback變換器中存在的問題。

    1 工作原理

  電路如圖1所示,其兩個開關(guān)S1及S2互補導通,中間有一定的死區(qū)以防止共態(tài)導通。變壓器激磁電感Lm設計得較大,使電路工作在電流連續(xù)模式(CCM),如圖2的iLm波形所示。而電感Lr設計得較。↙rLm),使流過Lr的電流在一個周期內(nèi)可以反向,如圖2的iLr波形所示?紤]到開關(guān)的結(jié)電容以及死區(qū)時間,一個周期可以分為8個階段,各個階段的等效電路如圖3所示。其工作原理如下。

  1)階段1〔t0,t1〕該階段S1導通,Lm與Lr串聯(lián)承受輸入電壓,流過Lm及Lr的電流線性上升。

  V2=Vin(Lin/Lm+Lr)    (1)
  由于LrLm,所以式(1)可簡化為
  V2≈Vin    (2)

  2)階段2〔t1,t2〕t1時刻S1關(guān)斷,Lm及Lr上的電流給S1的輸出結(jié)電容Cr1充電,同時使S2的輸出結(jié)電容Cr2放電。t2時刻S2的漏源電壓下降到零,該階段結(jié)束。

    3)階段3〔t2,t3〕當S2的漏源電壓下降到零之后,S2的寄生二極管就導通,將S2的漏源電壓箝位在零電壓狀態(tài)。Lr和Lm串聯(lián)與嵌位電容Cclamp諧振,Cclamp上電壓vc緩慢上升,v2上電壓也緩慢上升。

  v2=(Lm/Lm+Lr)vc    (3)

  4)階段4〔t3,t4〕t3時刻S2的門極變?yōu)楦唠娖,S2零電壓開通。流過寄生二極管的電流流經(jīng)S2。此時間段依然維持Lr和Lm串聯(lián)與嵌位電容Cclamp諧振,v2緩慢上升。

  5)階段5〔t4,t5〕t4時刻v2上升到一定的電壓使副邊二極管D導通,v2被嵌位在-NVo。Lr與Cclamp諧振。在保證t5時刻Lr電流反向的情況下,其諧振周期應該滿足

式中:toff為主開關(guān)管S1一個周期內(nèi)的關(guān)斷時間。

t5時刻S2關(guān)斷,該階段結(jié)束。

  6)階段6〔t5,t6〕t5時刻Lr上的電流方向為負,此電流一部分使S1的輸出結(jié)電容Cr1放電,另一部分對S2的輸出結(jié)電容Cr2充電。t6時刻S1的漏源電壓下降到零,該階段結(jié)束。

  7)階段7〔t6,t7〕當S1的漏源電壓下降到零之后,S1的寄生二極管就導通,將S1的漏源電壓箝在零電壓狀態(tài),也就為S1的零電壓導通創(chuàng)造了條件。此時,Lr上的承受電壓v1為

  v1=Vin+NVo   (5)

  Lr上電流快速上升。流過副邊整流二極管D電流iD則快速下降。

  diD/dt=-N[Vin+NVo]/Lr+NVo/Lm)    (6)

  考慮到LrLm,式(6)可簡化為

  diD/dt=-N(Vin+NVo)/Lr    (7)

  8)階段8〔t7,t8〕t7時刻S1的門極變?yōu)楦唠娖剑琒1零電壓開通,流過寄生二極管的電流流經(jīng)S1。t8時刻副邊整流二極管D電流下降到零,D自然關(guān)斷,電路開始進入下一個周期。

  可以看到,在這種方案下,兩個開關(guān)S1和S2實現(xiàn)了零電壓開通,二極管D自然關(guān)斷。

  2 軟開關(guān)的參數(shù)設計

  假定電路工作在CCM狀態(tài)。由于S2的軟開關(guān)實現(xiàn)是Lr與Lm聯(lián)合對Cr1及Cr2充?電,而S1的軟開關(guān)實現(xiàn)是單獨的Lr對Cr1及Cr2充放電。因此,S2的軟開關(guān)實現(xiàn)比較容易,而S1的軟開關(guān)實現(xiàn)相對來說要難得多。所以,在參數(shù)設計中,關(guān)鍵是要考慮S1的軟開關(guān)條件。

 

摘要:介紹了一種有源箝位Flyback變換器ZVS實現(xiàn)方法,并對其軟開關(guān)參數(shù)重新設計。該方案不但能實現(xiàn)主輔開關(guān)管的ZVS,限制輸出整流二極管關(guān)斷時的di/dt,減小整流二極管的開關(guān)損耗,同時也有效地降低了開關(guān)管的電壓應力。

    關(guān)鍵詞:零電壓開關(guān);電流反向;有源箝位

  引言

  Flyback變換器由于其電路簡單,在小功率場合被普遍采用。但是,由于變壓器漏感的存在,引起開關(guān)管上過高的電壓應力。普通的RCD嵌位Flyback變換器其漏感能量消耗在嵌位電阻R上,開關(guān)管上電壓應力的大小取決于消耗在嵌位電阻上能量的大小。消耗在嵌位電阻上的能量越多,開關(guān)管的電壓應力就越低,但也影響了整個變換器的效率,因此,普通的RCD嵌位Flyback變換器總存在著開關(guān)管電壓應力與整個變換器效率之間的矛盾。

  輕小化是目前電源產(chǎn)品追求的目標。而提高開關(guān)頻率可以減小電感、電容等元件的體積。但是,開關(guān)頻率提高的瓶頸是開關(guān)器件的開關(guān)損耗,于是軟開關(guān)技術(shù)就應運而生。一般,要實現(xiàn)比較理想的軟開關(guān)效果,都需要有一個或一個以上的輔助開關(guān)為主開關(guān)創(chuàng)造軟開關(guān)的條件,同時希望輔助開關(guān)本身也能實現(xiàn)軟開關(guān)。

  本文介紹的一種有源嵌位Flyback軟開關(guān)電路,不但能實現(xiàn)ZVS,而且也解決了前述的普通RCD嵌位Flyback變換器中存在的問題。

    1 工作原理

  電路如圖1所示,其兩個開關(guān)S1及S2互補導通,中間有一定的死區(qū)以防止共態(tài)導通。變壓器激磁電感Lm設計得較大,使電路工作在電流連續(xù)模式(CCM),如圖2的iLm波形所示。而電感Lr設計得較。↙rLm),使流過Lr的電流在一個周期內(nèi)可以反向,如圖2的iLr波形所示?紤]到開關(guān)的結(jié)電容以及死區(qū)時間,一個周期可以分為8個階段,各個階段的等效電路如圖3所示。其工作原理如下。

  1)階段1〔t0,t1〕該階段S1導通,Lm與Lr串聯(lián)承受輸入電壓,流過Lm及Lr的電流線性上升。

  V2=Vin(Lin/Lm+Lr)    (1)
  由于LrLm,所以式(1)可簡化為
  V2≈Vin    (2)

  2)階段2〔t1,t2〕t1時刻S1關(guān)斷,Lm及Lr上的電流給S1的輸出結(jié)電容Cr1充電,同時使S2的輸出結(jié)電容Cr2放電。t2時刻S2的漏源電壓下降到零,該階段結(jié)束。

    3)階段3〔t2,t3〕當S2的漏源電壓下降到零之后,S2的寄生二極管就導通,將S2的漏源電壓箝位在零電壓狀態(tài)。Lr和Lm串聯(lián)與嵌位電容Cclamp諧振,Cclamp上電壓vc緩慢上升,v2上電壓也緩慢上升。

  v2=(Lm/Lm+Lr)vc    (3)

  4)階段4〔t3,t4〕t3時刻S2的門極變?yōu)楦唠娖,S2零電壓開通。流過寄生二極管的電流流經(jīng)S2。此時間段依然維持Lr和Lm串聯(lián)與嵌位電容Cclamp諧振,v2緩慢上升。

  5)階段5〔t4,t5〕t4時刻v2上升到一定的電壓使副邊二極管D導通,v2被嵌位在-NVo。Lr與Cclamp諧振。在保證t5時刻Lr電流反向的情況下,其諧振周期應該滿足

式中:toff為主開關(guān)管S1一個周期內(nèi)的關(guān)斷時間。

t5時刻S2關(guān)斷,該階段結(jié)束。

  6)階段6〔t5,t6〕t5時刻Lr上的電流方向為負,此電流一部分使S1的輸出結(jié)電容Cr1放電,另一部分對S2的輸出結(jié)電容Cr2充電。t6時刻S1的漏源電壓下降到零,該階段結(jié)束。

  7)階段7〔t6,t7〕當S1的漏源電壓下降到零之后,S1的寄生二極管就導通,將S1的漏源電壓箝在零電壓狀態(tài),也就為S1的零電壓導通創(chuàng)造了條件。此時,Lr上的承受電壓v1為

  v1=Vin+NVo   (5)

  Lr上電流快速上升。流過副邊整流二極管D電流iD則快速下降。

  diD/dt=-N[Vin+NVo]/Lr+NVo/Lm)    (6)

  考慮到LrLm,式(6)可簡化為

  diD/dt=-N(Vin+NVo)/Lr    (7)

  8)階段8〔t7,t8〕t7時刻S1的門極變?yōu)楦唠娖,S1零電壓開通,流過寄生二極管的電流流經(jīng)S1。t8時刻副邊整流二極管D電流下降到零,D自然關(guān)斷,電路開始進入下一個周期。

  可以看到,在這種方案下,兩個開關(guān)S1和S2實現(xiàn)了零電壓開通,二極管D自然關(guān)斷。

  2 軟開關(guān)的參數(shù)設計

  假定電路工作在CCM狀態(tài)。由于S2的軟開關(guān)實現(xiàn)是Lr與Lm聯(lián)合對Cr1及Cr2充?電,而S1的軟開關(guān)實現(xiàn)是單獨的Lr對Cr1及Cr2充放電。因此,S2的軟開關(guān)實現(xiàn)比較容易,而S1的軟開關(guān)實現(xiàn)相對來說要難得多。所以,在參數(shù)設計中,關(guān)鍵是要考慮S1的軟開關(guān)條件。

 

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