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AFEM-S102

發(fā)布時(shí)間:2011/4/18 9:41:14 訪問(wèn)次數(shù):1064

Avago FBAR技術(shù)與陶瓷或SAW(表面聲波)濾波器以及其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)相比,可使頻率滾降幅度更大,而且可外形更加緊湊。低插入損耗可降低功率放大器電流,并提高接收器的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍,因此可使手機(jī)有更長(zhǎng)的電池壽命和通話時(shí)間,以及更加的信號(hào)質(zhì)量。FBAR技術(shù)使得只在通常大小的幾分之一內(nèi)制造超小型的高Q值濾波器,并與其他電波組件集成成為可能。

AFEM-S102的其他產(chǎn)品特點(diǎn)
• 所有RF端口為50 ohms匹配以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
• TX、RX、BT和ANT端口直流阻斷
• -18dB TX定向耦合
• -30°至+85°C工作溫度Avago Technologies是一家為通信、工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用提供模擬接口零組件的領(lǐng)先供應(yīng)商,該公司今日宣布推出一款前端模塊,可為手機(jī)和平板電腦以及其他便攜式個(gè)人電腦設(shè)備的移動(dòng)路由器提供強(qiáng)大的802.11 b/g/n WiFi和藍(lán)牙電波過(guò)濾功能。這款最新的AFEM-S102模塊將一個(gè)薄膜腔聲諧振器(FBAR)共存濾波器、SP3T天線開(kāi)關(guān)和TX通道耦合器結(jié)合在一個(gè)小型的2.2 x 2.2 x 0.55毫米封裝中,非常適合對(duì)空間有限制要求的應(yīng)用用途。這一2.5GHz模塊可提供優(yōu)異的頻外抑制功能,使WiFi 和藍(lán)牙數(shù)據(jù)通信可同時(shí)和手機(jī)通信標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。

Avago前端模塊集成應(yīng)用了多種高性能技術(shù),可減小PCB基板封裝尺寸,并簡(jiǎn)化便攜式電子應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計(jì)。AFEM-S102模塊具有低插入損耗特性,同時(shí)提供高噪聲抑制,滿足共存所需的苛刻要求,并減少WiFi、藍(lán)牙以及其他電波間的干擾問(wèn)題。由于對(duì)Avago 0.25μm GaAs增強(qiáng)模式pHEMT工藝及其領(lǐng)先的專有FBAR過(guò)濾技術(shù)進(jìn)行有效的優(yōu)化利用,該模塊可為T(mén)X通道提供2.6dB的最大插入損耗,以及2110-2170MHz范圍內(nèi)35dB的拒斥能力。

Avago FBAR技術(shù)與陶瓷或SAW(表面聲波)濾波器以及其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)相比,可使頻率滾降幅度更大,而且可外形更加緊湊。低插入損耗可降低功率放大器電流,并提高接收器的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍,因此可使手機(jī)有更長(zhǎng)的電池壽命和通話時(shí)間,以及更加的信號(hào)質(zhì)量。FBAR技術(shù)使得只在通常大小的幾分之一內(nèi)制造超小型的高Q值濾波器,并與其他電波組件集成成為可能。

AFEM-S102的其他產(chǎn)品特點(diǎn)
• 所有RF端口為50 ohms匹配以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
• TX、RX、BT和ANT端口直流阻斷
• -18dB TX定向耦合
• -30°至+85°C工作溫度Avago Technologies是一家為通信、工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用提供模擬接口零組件的領(lǐng)先供應(yīng)商,該公司今日宣布推出一款前端模塊,可為手機(jī)和平板電腦以及其他便攜式個(gè)人電腦設(shè)備的移動(dòng)路由器提供強(qiáng)大的802.11 b/g/n WiFi和藍(lán)牙電波過(guò)濾功能。這款最新的AFEM-S102模塊將一個(gè)薄膜腔聲諧振器(FBAR)共存濾波器、SP3T天線開(kāi)關(guān)和TX通道耦合器結(jié)合在一個(gè)小型的2.2 x 2.2 x 0.55毫米封裝中,非常適合對(duì)空間有限制要求的應(yīng)用用途。這一2.5GHz模塊可提供優(yōu)異的頻外抑制功能,使WiFi 和藍(lán)牙數(shù)據(jù)通信可同時(shí)和手機(jī)通信標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。

Avago前端模塊集成應(yīng)用了多種高性能技術(shù),可減小PCB基板封裝尺寸,并簡(jiǎn)化便攜式電子應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計(jì)。AFEM-S102模塊具有低插入損耗特性,同時(shí)提供高噪聲抑制,滿足共存所需的苛刻要求,并減少WiFi、藍(lán)牙以及其他電波間的干擾問(wèn)題。由于對(duì)Avago 0.25μm GaAs增強(qiáng)模式pHEMT工藝及其領(lǐng)先的專有FBAR過(guò)濾技術(shù)進(jìn)行有效的優(yōu)化利用,該模塊可為T(mén)X通道提供2.6dB的最大插入損耗,以及2110-2170MHz范圍內(nèi)35dB的拒斥能力。

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