FDMS86500L器件的其它特性包括采用下一代增強(qiáng)型體二極管技術(shù)以實(shí)現(xiàn)軟恢復(fù);MSL1穩(wěn)固封裝設(shè)計;經(jīng)過100% UIL測試，并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

　　FDMS86500L是飛兆半導(dǎo)體新型60V MOSFET產(chǎn)品系列中的首款器件，這些新型 60V MOSFET器件的推出，進(jìn)一步強(qiáng)化公司中等電壓MOSFET產(chǎn)品系列。飛兆半導(dǎo)體擁有業(yè)界最廣泛的 MOSFET產(chǎn)品系列，向設(shè)計人員提供多種技術(shù)選擇，以便為應(yīng)用挑選合適的MOSFET器件。飛兆半導(dǎo)體充分認(rèn)識到空間受限的應(yīng)用場合對電流更高、占位面積更小的DC-DC電源的需求，并且了解客戶及其所服務(wù)的市場，因而能夠提供具有獨(dú)特功能、工藝和封裝創(chuàng)新組合的量身定做解決方案，實(shí)現(xiàn)電子設(shè)計差異化。兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，該器件經(jīng)專門設(shè)計以最大限度地減小傳導(dǎo)損耗和開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，并提升DC-DC轉(zhuǎn)換器的整體效率。

　　FDMS86500L是采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5mm x 6mm Power 56封裝的器件，它結(jié)合了先進(jìn)的封裝技術(shù)和硅技術(shù)，顯著降低了導(dǎo)通阻抗RDS(ON) (2.5mΩ @ VGS = 10V, ID=25A)，實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗。

FDMS86500L使用屏蔽柵極功率MOSFET技術(shù)，提供極低的開關(guān)損耗 (Qgd 14.6 nC Typ.)，結(jié)合該器件的低傳導(dǎo)損耗，可為設(shè)計人員提供其所需的更高的功率密度。