采用30納米級2Gb DDR3 DRAM生產(chǎn)的模組相比，30納米級4Gb DDR3 DRAM筆記本模組的性能依舊突出，擁有與前者相同的1.5伏/2.133Mbps的高性能。由于30納米級4Gb DDR3 DRAM的單位產(chǎn)能比40納米級4Gb DDR3 DRAM 高出50%多，它將在具有高性能、低能耗的下一代服務(wù)器市場和高端筆記本市場取代40納米級4Gb DDR3 DRA的同時，創(chuàng)造新的需求。

2011年2月起，三星就已經(jīng)批量生產(chǎn)30納米級（1納米相當于10億分之一米）4Gb DDR3 DRAM，并于4月開始供應(yīng)16GB模組，緊接著在本月開始提供32GB DDR3模組和高端筆記本用的30納米級8GB DDR3模組，構(gòu)建成了高性能、大容量的“綠色 DDR3產(chǎn)品線”。

2011年3月開始，三星電子僅用了一個月的時間就實現(xiàn)了4Gb移動DRAM的量產(chǎn)到4Gb DRAM工藝大容量電腦用模組量產(chǎn)，這說明從移動市場到企業(yè)級服務(wù)器市場，三星電子將以最先進的30納米級DRAM來推動企業(yè)對低耗能“綠色內(nèi)存”的需求。

目前，三星為了進一步開展“綠色存儲器”推廣活動，將與大型服務(wù)器廠商以及電腦公司加強技術(shù)方面的交流與合作。同時，通過今年下半年舉辦的“半導體CIO論壇”，三星將與美國以及亞洲的跨國企業(yè)首席信息官共享綠色經(jīng)營（通過綠色存儲器重新創(chuàng)造價值）帶來的成果，與此同時，通過創(chuàng)造更為廣闊的合作機會來完成“綠色IT系統(tǒng)”。

三星電子半導體,三星在去年2月份最早量產(chǎn)40納米級4Gb DDR3 DRAM后，僅僅一年的時間里就成功實現(xiàn)30納米級4Gb DDR3 DRAM的量產(chǎn)。在企業(yè)級服務(wù)器市場和移動市場等高端DRAM市場上確保了最高水平的產(chǎn)品競爭力和解決方案。為了適應(yīng)綠色IT市場的急速發(fā)展，我們計劃在下半年推出超節(jié)電型‘20納米級4Gb DRAM’。向顧客提供最高性能的‘綠色內(nèi)存解決方案’，并持續(xù)發(fā)展存儲器市場�！�

三星電子以本次30納米級4Gb DRAM批量生產(chǎn)為契機，將大幅度提高大容量DRAM的生產(chǎn)比重，爭取最晚在2012年，將這一比重提高至所有DRAM生產(chǎn)的10%以上。另據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)調(diào)查顯示，4Gb DRAM的市場占有率從2011年起逐漸擴大，到2012年，2013年，2014年將分別擴大至10%、35%、57%，已經(jīng)成為DRAM市場的主力軍。

三星電子宣布，將從本月開始在全球率先量產(chǎn)30納米級4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊。30納米級32GB DDR3內(nèi)存模組具有高性能、低功耗、大容量等特點，能夠在1.35伏的電壓下達到1.866Mbps傳輸速度，最適合應(yīng)用于最新高性能的服務(wù)器，和現(xiàn)有的40納米級32GB DDR3模組（1.5伏/1.333 Mbps ）相比，不僅可以節(jié)省18%的能耗，而且將數(shù)據(jù)傳輸速度提高了40%。