W9412G6CH 2M×4BANK×16bit DDR SDRAM電路的基本特性：

1) 電源電壓(2.5±0.2)V用于DDR266；
2) 電源電壓(2.5士0.2)V用于DDR333；
3) 電源電壓(2.6±5%)V用于DDR400；
4) 電源電壓(2.6±5%)V用于DDR444；
5) 時鐘頻率為222MHz；
6) 雙數(shù)據(jù)傳輸率結構，每個時鐘周期傳輸2條數(shù)據(jù)；
7) 不同的時鐘輸入（CLK和CLK）；
8) DQS讀出數(shù)據(jù)兩邊對齊，寫入數(shù)據(jù)居中對齊；
9) 列地址選通脈沖(CAS)時間延遲為2、2.5和3；
10)脈沖長度為2、4和8；
11)自動刷新和自刷新；
12)預充電掉電和有效掉電；
13)寫數(shù)據(jù)掩膜；
14)寫延遲=1；
15)刷新間隔為15.6μs（刷新4kbit/64ms）；
16)最大脈沖刷新周期為8；
17)接口為SSTL_2；
18)無鉛，遵從RoHS標準。