CAT22C10 256bit非易失性CMOS靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)電路的基本特性：

1) 單電源電壓為5V；   
2) 快速RAM存取時間為200ns和300ns；   
3) CMOS和TTL兼容I/O接口；   
4) 低功耗CMOS耗散，正常工作時電流為40mA（最大值），待機(jī)電流為30μA（最大值）；   
5) 上電/掉電保護(hù)；
6）10年數(shù)據(jù)保留；
7）100000次編程/擦除周期(EEPROM)；
8）JEDEC標(biāo)準(zhǔn)封裝為16引腳的SOIC封裝；
9）商業(yè)級、工業(yè)級、汽車級和擴(kuò)展溫度范圍；
10)可采用新的無鉛封裝。