AT49SN6416 64Mbit (4M×16bit)閃速存儲器電路的基本特性：

1) 電壓讀/寫范圍為1. 65—1.95V；
2) 高性能，即①隨機(jī)存取時間為70ns，
             ②頁模式讀取時間為20ns，
             ③同步突發(fā)頻率為66MHz，
             ④配置突發(fā)脈沖操作；
3) 扇區(qū)清除架構(gòu)，8個4k字扇區(qū)具有獨(dú)立的寫入鎖定的，127個32k字主扇區(qū)具有獨(dú)立的寫入鎖定；
4) 典型的扇區(qū)擦除時間，32k字扇區(qū)為700ms，4k字扇區(qū)為200ms；
5) 4層結(jié)構(gòu)，當(dāng)其他3層并行讀操作時不被編程/擦除，即①存儲器A層為存儲器的25%，包括8個4k字扇區(qū)，
                                                  ②存儲器B層為存儲器的25%,由32k字的扇區(qū)組成，
                                                  ③存儲器C層為存儲器的25%,由32k字的扇區(qū)組成，
                                                  ④存儲器D層為存儲器的25%,由32k字的扇區(qū)組成；
6) 低功耗操作，正常工作時電流為30mA，待機(jī)時電流為35μA；
7) VPP引腳用于寫保護(hù)和加速編程操作，RESET引腳用于設(shè)備初始化；
8) 提供頂部或底部的啟動區(qū)塊配置；
9) 128bit保護(hù)寄存器；
10)共同的閃速存儲器接口(CFI)。