IGBT在實(shí)際應(yīng)用中常用的保護(hù)措施如下。      A2917SEB 
    ①過流保護(hù)。通過檢測出的過電流信號(hào)切斷控制極信號(hào)，使IGBT關(guān)斷。
    ②過壓保護(hù)。設(shè)置吸收電路可抑制過電壓并限制電壓上升率du/dt。
    ③過熱保護(hù)。利用溫度傳感器檢測出IGBT的殼溫，當(dāng)超過允許值時(shí)令主電路跳閘。
    下面重點(diǎn)介紹兩種過流保護(hù)電路，如圖7-28所示。
    圖7-28(a)電路中，當(dāng)流過IGBT的電流I_D超過一定值時(shí)，電阻R_E上的電壓足以觸發(fā)晶閘管VT使之導(dǎo)通，從而把輸入信號(hào)短路，IGBT失去柵壓而關(guān)斷。該電路不足之處是R_E上要消耗能量。圖7-28 (b)是以霍爾傳感器代替了R_E，克服了上述電路的缺點(diǎn)。