測(cè)量曲線插直程序
發(fā)布時(shí)間:2011/10/5 11:52:49 訪問(wèn)次數(shù):1144
2.1.4 三次樣條函數(shù)插值法
圖2.8三次樣條函數(shù)原理
如果各樣點(diǎn)之間為三次曲線,則畫(huà)出的曲線由各段三次曲線拼接而成,且每個(gè)采樣點(diǎn)處的兩段三次曲線的一階、二階導(dǎo)數(shù)連續(xù),這在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為三次樣條函數(shù),其原理如圖2.8所示。利用微處理器處理三次樣條函數(shù)比較復(fù)雜,甚至難以實(shí)現(xiàn)。這時(shí)可以使用諸如MATLAB等強(qiáng)有力的數(shù)學(xué)工具計(jì)算出樣條函數(shù)的各次系數(shù),利用這些系數(shù)就可以編寫(xiě)出高效的用戶插值程序。設(shè)有0,1,2,…,n個(gè)采樣點(diǎn),則n個(gè)三次多項(xiàng)式的通用形式為 H101C (2.8)
Si(x)=aix2,+bx2+cix+bi=1,2,3...,n
三次樣條函數(shù)Si(x)在區(qū)間[xi-xi,xi,]上的三次式常用兩種方法表示,一種是設(shè)Si(x)=yi,S"(x)=M'hi-xi-xi-1得到m的表達(dá)式;另一種是設(shè)S(xi)yi,S"(XI)=Mi,hi=xi-xi-1,得到M的表達(dá)式。對(duì)于M的表達(dá)式,因S(x)在[Xi-1,Xi]上是三次式,s"(x)是一次式,s"(xi-1)=Mi-1,S“(xi)=Mi,按線性插值公式可得到
xi-x x-xi-1
S"(x)_____Mi-1+____Mi
hi hi (2.9)
對(duì)式(2.9)積分兩次可得三次樣條函數(shù)的M表達(dá)式:
hi2Mi-1 Xi-x hi2Mi-1 x-xi-1
1 -_______ _____+[yi-_______]______
s(x)=__[(xi-x)3Mi-1+(x-xi-1)3M]+[yi-1 6 ] hi 6 hi
6hi xE[Xi-1,xi],i=1.2...,n (2.10)
可見(jiàn),要確定三次樣條函數(shù)S(x),只需確定Mi。為此,需用到S(x)的光滑性。既然三次樣條函數(shù)的二階導(dǎo)數(shù)連續(xù),當(dāng)然一階導(dǎo)數(shù)也連續(xù),故在中間節(jié)點(diǎn)xi(i=1,2...,n-1)處應(yīng)有S'(XI)=S'+(Xi),這樣可以得到Mi滿足的n-1個(gè)方程:
(2.11)
對(duì)于兩個(gè)邊界點(diǎn)有S"(xo)=Mo,s"(x)=M"。這樣就得到要求解n+1個(gè)M值的n+1個(gè)方程。由此可y(x)構(gòu)造某點(diǎn)處的二階導(dǎo)數(shù)表示的三次樣條插值函數(shù)可分為以下三步。
①根據(jù)S"(X)的連續(xù)性及其為線性函數(shù)的特點(diǎn),將s"(x)表示為線性函數(shù),再根據(jù)S(x)的連續(xù)性及插值條件,寫(xiě)出S"(x)用夠Mi(i=1,2...,n)表示的形式。H1053
②根據(jù)S'(x)在節(jié)點(diǎn)Xi(i=1,2,...,n-1)處的連續(xù)性及邊界條件,導(dǎo)出含Mi(i=1,2,...,n)的n+l階線性方程組。
③之解Mi(i=1,2,...,n)的線性方程組,將得到的Mi代入[Xi一l,xi]的表達(dá)式,即得到似節(jié)點(diǎn)處二階導(dǎo)數(shù)表示的三次樣條函數(shù)。
采用MATLAB求解三次樣條函數(shù)對(duì)應(yīng)的Mi(i=1,2...,n)的程序流程圖如圖2.9所示。
圖2.9樣條函數(shù)插值程序流程圖
線性插值法比較簡(jiǎn)單,但精度不高;三次樣條函數(shù)插值法比較精確,但計(jì)算量大;二次拋物線插值法精度較高,計(jì)算量適中。在實(shí)際應(yīng)用中,可根據(jù)被測(cè)量(如溫度)與測(cè)量值(經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換得到的電壓值)之間關(guān)系曲線的特征選取合適的插值方法。為避免采用高次插值法,可在測(cè)量曲線曲率變化比較大的地方增加測(cè)試點(diǎn),這樣就可以采用線性插值法。例如,在比色測(cè)溫系統(tǒng)中,采樣點(diǎn)測(cè)試誤差很小,且硅光電池特性曲線的中間大部分近似線性,故采用線性插值法。但對(duì)于某些情況,要給出更多的測(cè)量點(diǎn)有困難時(shí),就必須根據(jù)實(shí)際情況在不同的區(qū)段選取不同的插值方法。H11A817A3SD
三種插值方法均屬計(jì)算法,所取段數(shù)越多,計(jì)算精度越高。但是,這不僅增加計(jì)算量,而且也會(huì)產(chǎn)生計(jì)算誤差。此外,在某些檢測(cè)系統(tǒng)中,有些參數(shù)的計(jì)算非常復(fù)雜,需要用較長(zhǎng)的計(jì)算程序,占用較多的微處理器內(nèi)存單元,此時(shí)可利用查表法進(jìn)行處理。
2.1.4 三次樣條函數(shù)插值法
圖2.8三次樣條函數(shù)原理
如果各樣點(diǎn)之間為三次曲線,則畫(huà)出的曲線由各段三次曲線拼接而成,且每個(gè)采樣點(diǎn)處的兩段三次曲線的一階、二階導(dǎo)數(shù)連續(xù),這在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為三次樣條函數(shù),其原理如圖2.8所示。利用微處理器處理三次樣條函數(shù)比較復(fù)雜,甚至難以實(shí)現(xiàn)。這時(shí)可以使用諸如MATLAB等強(qiáng)有力的數(shù)學(xué)工具計(jì)算出樣條函數(shù)的各次系數(shù),利用這些系數(shù)就可以編寫(xiě)出高效的用戶插值程序。設(shè)有0,1,2,…,n個(gè)采樣點(diǎn),則n個(gè)三次多項(xiàng)式的通用形式為 H101C (2.8)
Si(x)=aix2,+bx2+cix+bi=1,2,3...,n
三次樣條函數(shù)Si(x)在區(qū)間[xi-xi,xi,]上的三次式常用兩種方法表示,一種是設(shè)Si(x)=yi,S"(x)=M'hi-xi-xi-1得到m的表達(dá)式;另一種是設(shè)S(xi)yi,S"(XI)=Mi,hi=xi-xi-1,得到M的表達(dá)式。對(duì)于M的表達(dá)式,因S(x)在[Xi-1,Xi]上是三次式,s"(x)是一次式,s"(xi-1)=Mi-1,S“(xi)=Mi,按線性插值公式可得到
xi-x x-xi-1
S"(x)_____Mi-1+____Mi
hi hi (2.9)
對(duì)式(2.9)積分兩次可得三次樣條函數(shù)的M表達(dá)式:
hi2Mi-1 Xi-x hi2Mi-1 x-xi-1
1 -_______ _____+[yi-_______]______
s(x)=__[(xi-x)3Mi-1+(x-xi-1)3M]+[yi-1 6 ] hi 6 hi
6hi xE[Xi-1,xi],i=1.2...,n (2.10)
可見(jiàn),要確定三次樣條函數(shù)S(x),只需確定Mi。為此,需用到S(x)的光滑性。既然三次樣條函數(shù)的二階導(dǎo)數(shù)連續(xù),當(dāng)然一階導(dǎo)數(shù)也連續(xù),故在中間節(jié)點(diǎn)xi(i=1,2...,n-1)處應(yīng)有S'(XI)=S'+(Xi),這樣可以得到Mi滿足的n-1個(gè)方程:
(2.11)
對(duì)于兩個(gè)邊界點(diǎn)有S"(xo)=Mo,s"(x)=M"。這樣就得到要求解n+1個(gè)M值的n+1個(gè)方程。由此可y(x)構(gòu)造某點(diǎn)處的二階導(dǎo)數(shù)表示的三次樣條插值函數(shù)可分為以下三步。
①根據(jù)S"(X)的連續(xù)性及其為線性函數(shù)的特點(diǎn),將s"(x)表示為線性函數(shù),再根據(jù)S(x)的連續(xù)性及插值條件,寫(xiě)出S"(x)用夠Mi(i=1,2...,n)表示的形式。H1053
②根據(jù)S'(x)在節(jié)點(diǎn)Xi(i=1,2,...,n-1)處的連續(xù)性及邊界條件,導(dǎo)出含Mi(i=1,2,...,n)的n+l階線性方程組。
③之解Mi(i=1,2,...,n)的線性方程組,將得到的Mi代入[Xi一l,xi]的表達(dá)式,即得到似節(jié)點(diǎn)處二階導(dǎo)數(shù)表示的三次樣條函數(shù)。
采用MATLAB求解三次樣條函數(shù)對(duì)應(yīng)的Mi(i=1,2...,n)的程序流程圖如圖2.9所示。
圖2.9樣條函數(shù)插值程序流程圖
線性插值法比較簡(jiǎn)單,但精度不高;三次樣條函數(shù)插值法比較精確,但計(jì)算量大;二次拋物線插值法精度較高,計(jì)算量適中。在實(shí)際應(yīng)用中,可根據(jù)被測(cè)量(如溫度)與測(cè)量值(經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換得到的電壓值)之間關(guān)系曲線的特征選取合適的插值方法。為避免采用高次插值法,可在測(cè)量曲線曲率變化比較大的地方增加測(cè)試點(diǎn),這樣就可以采用線性插值法。例如,在比色測(cè)溫系統(tǒng)中,采樣點(diǎn)測(cè)試誤差很小,且硅光電池特性曲線的中間大部分近似線性,故采用線性插值法。但對(duì)于某些情況,要給出更多的測(cè)量點(diǎn)有困難時(shí),就必須根據(jù)實(shí)際情況在不同的區(qū)段選取不同的插值方法。H11A817A3SD
三種插值方法均屬計(jì)算法,所取段數(shù)越多,計(jì)算精度越高。但是,這不僅增加計(jì)算量,而且也會(huì)產(chǎn)生計(jì)算誤差。此外,在某些檢測(cè)系統(tǒng)中,有些參數(shù)的計(jì)算非常復(fù)雜,需要用較長(zhǎng)的計(jì)算程序,占用較多的微處理器內(nèi)存單元,此時(shí)可利用查表法進(jìn)行處理。
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