門極關斷晶閘管GTO( Gate Turn-Off Thyristor)也稱柵控晶閘管。以P型門極為例，它由PNPN四層半導體材料構成，其三個電極分別為陽極A、陰極K和門極G。
    1．門極關斷晶閘管重要特點
    門極關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同。門極關斷晶閘管與普通晶閘管一樣也具有單向導電特性，即當其陽極A、陰極K兩端為正向電壓在柵極G上加正的觸發(fā)電壓時，晶閘管將導通，電流導通方向為A→K。
    普通晶閘管在靠柵極正電壓觸發(fā)后，去掉觸發(fā)電壓后也能維持導通，只有切斷電源使正向電流低于維持電流或加上反向電壓才能使其關斷。但是，門極關斷晶閘管導通狀態(tài)下，如果在其柵極G上加一個適當的負電壓，則能使導通的晶閘管自行關斷，這是它與普通晶閘管的不同之處。
    2．門極關斷晶閘管關斷原理
    門極關斷晶閘管與普通晶閘管觸發(fā)導通原理相同，但是二者的關斷原理及關斷方式不同。普通晶閘管在導通之后處于深度飽和狀態(tài)，而門極關斷晶閘管在導通后只能達到臨界飽和，所以門極關斷晶閘管柵極上加負向觸發(fā)信號即可關斷。
    門極關斷晶閘管的一個重要參數就是關斷增益β_off，它等于陽極最大可關斷電流與柵極最大負向電流之比。
    β_off一般為幾倍至幾十倍。β_off值越大，說明柵極電流對陽極電流的控制能力越強。
    3．門極關斷晶閘管柵極驅動電路要求
    門極關斷晶閘管柵極驅動電路一般要求是：當信號要求可關斷晶閘管導通時，驅動電路提供上升率足夠大的正柵極脈沖電流（其幅度視晶閘管容量不同在0.1到幾安培范圍內），其正柵極脈沖寬度應保證門極關斷晶閘管可靠導通。
    當信號要求門極關斷晶閘管關斷時，驅動電路提供上升率足夠大的負柵極脈沖電流，脈沖幅度要求大于可關斷晶閘管陽極電流的五分之一，脈沖寬度應大于可關斷晶閘管的關斷時間和尾部時間。
    根據對驅動門極關斷晶閘管的特性、容量、應用場合、電路電壓、工作頻率、可靠性要求和性價比等方面的不同要求，有多種形式的柵極驅動電路。
4．單電源門極關斷晶閘管柵極驅動電路
    圖13-32所示是單電源門極關斷晶閘管柵極驅動電路，電路中的VS2為門極關斷晶閘管，VS1為普通晶閘管，VT1為導通脈沖放大管。

                      
    (1)導通觸發(fā)過程分梅疊在導通脈沖到來時，正脈沖加到NPN型三極管VT1基極，使之飽和導通，其發(fā)射極輸出的正脈沖通過Rl加到VS2柵極，VS2觸發(fā)而導通。此時，因為關斷脈沖沒有出現，所以VS1不能導通而處于截止狀態(tài)。
    VT1和VS2導通后（VS1截止），VT1管發(fā)射極輸出電流通過導通的VD1對電容Cl進行充電，充電電流回路如圖13-33所示，在電容Cl上充到的電壓極性為左正右負。

                        
    (2)關斷觸發(fā)過程努析。關斷觸發(fā)脈沖出現，導通觸發(fā)脈沖消失，VT1截止，關斷觸發(fā)正脈沖加到VS1柵極，使VS1導通，如圖13-34所示。VS1導通后，相當于將電容Cl左端接地，這樣原先電容Cl上充到的左正右負電壓加到VS2柵極．ONET4291VARGPR這是負極性電壓，即VS2柵極對地加有負極性電壓，將VS2關斷。