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門極關(guān)斷晶閘管

發(fā)布時(shí)間:2011/12/9 13:37:37 訪問(wèn)次數(shù):3902

     門極關(guān)斷晶閘管GTO( Gate Turn-Off Thyristor)也稱柵控晶閘管。以P型門極為例,它由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成,其三個(gè)電極分別為陽(yáng)極A、陰極K和門極G。
    1.門極關(guān)斷晶閘管重要特點(diǎn)
    門極關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同。門極關(guān)斷晶閘管與普通晶閘管一樣也具有單向?qū)щ娞匦,即?dāng)其陽(yáng)極A、陰極K兩端為正向電壓在柵極G上加正的觸發(fā)電壓時(shí),晶閘管將導(dǎo)通,電流導(dǎo)通方向?yàn)锳→K。
    普通晶閘管在靠柵極正電壓觸發(fā)后,去掉觸發(fā)電壓后也能維持導(dǎo)通,只有切斷電源使正向電流低于維持電流或加上反向電壓才能使其關(guān)斷。但是,門極關(guān)斷晶閘管導(dǎo)通狀態(tài)下,如果在其柵極G上加一個(gè)適當(dāng)?shù)呢?fù)電壓,則能使導(dǎo)通的晶閘管自行關(guān)斷,這是它與普通晶閘管的不同之處。
    2.門極關(guān)斷晶閘管關(guān)斷原理
    門極關(guān)斷晶閘管與普通晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但是二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式不同。普通晶閘管在導(dǎo)通之后處于深度飽和狀態(tài),而門極關(guān)斷晶閘管在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以門極關(guān)斷晶閘管柵極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。
    門極關(guān)斷晶閘管的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益βoff,它等于陽(yáng)極最大可關(guān)斷電流與柵極最大負(fù)向電流之比。
    βoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值越大,說(shuō)明柵極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力越強(qiáng)。
    3.門極關(guān)斷晶閘管柵極驅(qū)動(dòng)電路要求
    門極關(guān)斷晶閘管柵極驅(qū)動(dòng)電路一般要求是:當(dāng)信號(hào)要求可關(guān)斷晶閘管導(dǎo)通時(shí),驅(qū)動(dòng)電路提供上升率足夠大的正柵極脈沖電流(其幅度視晶閘管容量不同在0.1到幾安培范圍內(nèi)),其正柵極脈沖寬度應(yīng)保證門極關(guān)斷晶閘管可靠導(dǎo)通。
    當(dāng)信號(hào)要求門極關(guān)斷晶閘管關(guān)斷時(shí),驅(qū)動(dòng)電路提供上升率足夠大的負(fù)柵極脈沖電流,脈沖幅度要求大于可關(guān)斷晶閘管陽(yáng)極電流的五分之一,脈沖寬度應(yīng)大于可關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷時(shí)間和尾部時(shí)間。
    根據(jù)對(duì)驅(qū)動(dòng)門極關(guān)斷晶閘管的特性、容量、應(yīng)用場(chǎng)合、電路電壓、工作頻率、可靠性要求和性價(jià)比等方面的不同要求,有多種形式的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
4.單電源門極關(guān)斷晶閘管柵極驅(qū)動(dòng)電路
    圖13-32所示是單電源門極關(guān)斷晶閘管柵極驅(qū)動(dòng)電路,電路中的VS2為門極關(guān)斷晶閘管,VS1為普通晶閘管,VT1為導(dǎo)通脈沖放大管。

                      
    (1)導(dǎo)通觸發(fā)過(guò)程分梅疊在導(dǎo)通脈沖到來(lái)時(shí),正脈沖加到NPN型三極管VT1基極,使之飽和導(dǎo)通,其發(fā)射極輸出的正脈沖通過(guò)Rl加到VS2柵極,VS2觸發(fā)而導(dǎo)通。此時(shí),因?yàn)殛P(guān)斷脈沖沒有出現(xiàn),所以VS1不能導(dǎo)通而處于截止?fàn)顟B(tài)。
    VT1和VS2導(dǎo)通后(VS1截止),VT1管發(fā)射極輸出電流通過(guò)導(dǎo)通的VD1對(duì)電容Cl進(jìn)行充電,充電電流回路如圖13-33所示,在電容Cl上充到的電壓極性為左正右負(fù)。

                        
    (2)關(guān)斷觸發(fā)過(guò)程努析。關(guān)斷觸發(fā)脈沖出現(xiàn),導(dǎo)通觸發(fā)脈沖消失,VT1截止,關(guān)斷觸發(fā)正脈沖加到VS1柵極,使VS1導(dǎo)通,如圖13-34所示。VS1導(dǎo)通后,相當(dāng)于將電容Cl左端接地,這樣原先電容Cl上充到的左正右負(fù)電壓加到VS2柵極.ONET4291VARGPR這是負(fù)極性電壓,即VS2柵極對(duì)地加有負(fù)極性電壓,將VS2關(guān)斷。

                                      

     門極關(guān)斷晶閘管GTO( Gate Turn-Off Thyristor)也稱柵控晶閘管。以P型門極為例,它由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成,其三個(gè)電極分別為陽(yáng)極A、陰極K和門極G。
    1.門極關(guān)斷晶閘管重要特點(diǎn)
    門極關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同。門極關(guān)斷晶閘管與普通晶閘管一樣也具有單向?qū)щ娞匦,即?dāng)其陽(yáng)極A、陰極K兩端為正向電壓在柵極G上加正的觸發(fā)電壓時(shí),晶閘管將導(dǎo)通,電流導(dǎo)通方向?yàn)锳→K。
    普通晶閘管在靠柵極正電壓觸發(fā)后,去掉觸發(fā)電壓后也能維持導(dǎo)通,只有切斷電源使正向電流低于維持電流或加上反向電壓才能使其關(guān)斷。但是,門極關(guān)斷晶閘管導(dǎo)通狀態(tài)下,如果在其柵極G上加一個(gè)適當(dāng)?shù)呢?fù)電壓,則能使導(dǎo)通的晶閘管自行關(guān)斷,這是它與普通晶閘管的不同之處。
    2.門極關(guān)斷晶閘管關(guān)斷原理
    門極關(guān)斷晶閘管與普通晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但是二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式不同。普通晶閘管在導(dǎo)通之后處于深度飽和狀態(tài),而門極關(guān)斷晶閘管在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以門極關(guān)斷晶閘管柵極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。
    門極關(guān)斷晶閘管的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益βoff,它等于陽(yáng)極最大可關(guān)斷電流與柵極最大負(fù)向電流之比。
    βoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值越大,說(shuō)明柵極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力越強(qiáng)。
    3.門極關(guān)斷晶閘管柵極驅(qū)動(dòng)電路要求
    門極關(guān)斷晶閘管柵極驅(qū)動(dòng)電路一般要求是:當(dāng)信號(hào)要求可關(guān)斷晶閘管導(dǎo)通時(shí),驅(qū)動(dòng)電路提供上升率足夠大的正柵極脈沖電流(其幅度視晶閘管容量不同在0.1到幾安培范圍內(nèi)),其正柵極脈沖寬度應(yīng)保證門極關(guān)斷晶閘管可靠導(dǎo)通。
    當(dāng)信號(hào)要求門極關(guān)斷晶閘管關(guān)斷時(shí),驅(qū)動(dòng)電路提供上升率足夠大的負(fù)柵極脈沖電流,脈沖幅度要求大于可關(guān)斷晶閘管陽(yáng)極電流的五分之一,脈沖寬度應(yīng)大于可關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷時(shí)間和尾部時(shí)間。
    根據(jù)對(duì)驅(qū)動(dòng)門極關(guān)斷晶閘管的特性、容量、應(yīng)用場(chǎng)合、電路電壓、工作頻率、可靠性要求和性價(jià)比等方面的不同要求,有多種形式的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
4.單電源門極關(guān)斷晶閘管柵極驅(qū)動(dòng)電路
    圖13-32所示是單電源門極關(guān)斷晶閘管柵極驅(qū)動(dòng)電路,電路中的VS2為門極關(guān)斷晶閘管,VS1為普通晶閘管,VT1為導(dǎo)通脈沖放大管。

                      
    (1)導(dǎo)通觸發(fā)過(guò)程分梅疊在導(dǎo)通脈沖到來(lái)時(shí),正脈沖加到NPN型三極管VT1基極,使之飽和導(dǎo)通,其發(fā)射極輸出的正脈沖通過(guò)Rl加到VS2柵極,VS2觸發(fā)而導(dǎo)通。此時(shí),因?yàn)殛P(guān)斷脈沖沒有出現(xiàn),所以VS1不能導(dǎo)通而處于截止?fàn)顟B(tài)。
    VT1和VS2導(dǎo)通后(VS1截止),VT1管發(fā)射極輸出電流通過(guò)導(dǎo)通的VD1對(duì)電容Cl進(jìn)行充電,充電電流回路如圖13-33所示,在電容Cl上充到的電壓極性為左正右負(fù)。

                        
    (2)關(guān)斷觸發(fā)過(guò)程努析。關(guān)斷觸發(fā)脈沖出現(xiàn),導(dǎo)通觸發(fā)脈沖消失,VT1截止,關(guān)斷觸發(fā)正脈沖加到VS1柵極,使VS1導(dǎo)通,如圖13-34所示。VS1導(dǎo)通后,相當(dāng)于將電容Cl左端接地,這樣原先電容Cl上充到的左正右負(fù)電壓加到VS2柵極.ONET4291VARGPR這是負(fù)極性電壓,即VS2柵極對(duì)地加有負(fù)極性電壓,將VS2關(guān)斷。

                                      

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