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D-MOSFET和E-MOSFET電路的故障

發(fā)布時(shí)間:2011/12/16 10:24:01 訪問次數(shù):1705

     在D-MOSFET的零偏壓電路, F06C15C或者E-MOSFET的漏極反饋偏壓電路中,柵極電路開路是不容易檢測(cè)出來的故障。在D-MOSFET的零偏壓電路中,如果柵極電路開路,則柵極對(duì)源極電壓仍舊為0;因此,漏極電流沒有改變,電路偏壓值也都顯示正常,如圖7.48所示。

                    

    在E-MOSFET分壓器偏壓電路,開路的R1會(huì)造成柵極電壓變?yōu)?。此時(shí)晶體管將處于關(guān)閉狀態(tài),就像開啟的開關(guān),因?yàn)闁艠O對(duì)源極電壓必須超過臨界電壓,元件才能導(dǎo)通,而臨界電壓是大于0。這種情況顯示在圖7.49(a)。如果開路,柵極電壓變成+VDD,溝道電阻變得很低,所以元件近似閉合的開關(guān)。漏極電流只受RD限制。這種情況顯示在圖7.49(b)。

                     

 

     在D-MOSFET的零偏壓電路, F06C15C或者E-MOSFET的漏極反饋偏壓電路中,柵極電路開路是不容易檢測(cè)出來的故障。在D-MOSFET的零偏壓電路中,如果柵極電路開路,則柵極對(duì)源極電壓仍舊為0;因此,漏極電流沒有改變,電路偏壓值也都顯示正常,如圖7.48所示。

                    

    在E-MOSFET分壓器偏壓電路,開路的R1會(huì)造成柵極電壓變?yōu)?。此時(shí)晶體管將處于關(guān)閉狀態(tài),就像開啟的開關(guān),因?yàn)闁艠O對(duì)源極電壓必須超過臨界電壓,元件才能導(dǎo)通,而臨界電壓是大于0。這種情況顯示在圖7.49(a)。如果開路,柵極電壓變成+VDD,溝道電阻變得很低,所以元件近似閉合的開關(guān)。漏極電流只受RD限制。這種情況顯示在圖7.49(b)。

                     

 

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