1．霍爾元器件
    基于霍爾效應原理工作的半導體元器件稱為霍爾元器件。目前最常用的霍爾元器件材料是鍺(Ge)、硅(Si)、銻化銦(InSb)和砷化銦(InAs)等半導體材料。其中N形鍺容易加工制造，其霍爾系數(shù)、溫度性能與N形硅相似，都較好，輸出特性線性度也較好。銻化銦
對溫度最敏感，尤其在低溫范圍內(nèi)，溫度系數(shù)大，但在室溫時其霍爾系數(shù)較大。砷化銦的翟爾系數(shù)較小，溫度系數(shù)也較小，輸出特性線性度好。不同霍爾元器件材料適用于不同的要求和應用場合，一般來說采用銻化銦作為敏感元器件比較合適；一般測量指示儀表中，大多采用鍺和砷化銦元器件。
    霍爾元器件由霍爾片、引線和殼體組成。霍爾片是一塊矩形半導體單晶薄片(一般為4mmx2mmXO.l mm)，在它的長度方向兩端面上焊有兩根引線，控制電流端引線，通常用紅色導線。其焊接處稱為控制電流極（或稱激勵電極），要求焊接處接觸電阻很小，而且呈純電阻性質(zhì)（歐姆接觸）。在薄片另一端面的中間以點的形式對稱地焊有兩根霍爾輸出端引線，通常用綠色導線。其焊接處稱為霍爾電極，要求歐姆接觸且電極寬度與長度之比要小于0.1，否則影響輸出�；魻栐骷臍んw是用非導磁金屬陶瓷或環(huán)氧樹脂封裝。
    霍爾元器件的電磁特性包括控制電流（直流或交流）與霍爾輸出電勢之間的關系，即U_H一I特性；霍爾輸出與磁場（恒定或交變）之間的關系，即U_H -B特性；元器件的輸入或輸出電阻與磁場之間的關系，即R-B特性。下面加以簡單介紹。
    在磁場和環(huán)境溫度一定時，霍爾輸出電動勢UH與控制電流，有良好的線性關系，其直線的斜率稱為控制電流靈敏度，以符號K_I表示K_I= K_HB，
    在控制電流恒定時，霍爾元器件的開路霍爾輸出隨磁感應強度的增加并不完全呈線性關系，只有當元器件工作在0.5T以下時，線性度才比較好。
    實驗得出，霍爾元器件的內(nèi)阻隨磁場的絕對值增加而增加，這種現(xiàn)象稱為磁阻效應。