在高頻率時，因為晶體管內(nèi)部電容變得重要， L2A2136 米勒定理可以用來簡化反相放大器的分析，這會在稍后加以討論。在BJT或FET中，介于輸入端（基極或柵極），與輸出端（集電極或漏極）之間的電容為Cbc或Cgd，其一般形式如圖10. 5(a)所示。其中Av代表放大器在中段頻率范圍的電壓增益絕對值，而C代表Cbc或Cgd。

                   
    米勒定理指的是C實質(zhì)上可視為輸入端到接地之間的電容，如圖10.5 (b)所示，此電容可以表示成：
                            Cin(Miller)=C(AV+1)      (10.1)

    這個公式顯示了Cbc（或Cgd）對輸入電容的影響，比它的實際值大很多。例如，如果Cbc=6pF且放大器增益為50，則Cin(Miller)=306pF。圖10.6顯示這個等效輸入電容如何在實際交流等效電路中與Cbe（或Cgs）并聯(lián)。
    米勒定理也提到C實質(zhì)上可視為輸出端到接地之間的電容，如圖10.5(b)所示，此電容可以表示成：
                       Cout(Miller)=C×(Av+1/Av)         (10.2)
     這個公式指出，如果電壓增益等于或大于10，因為(Av+1)/Av約等于1，所以Cout(Miller)約等于Cbc或Cgd。圖10.6也顯示這個等效輸出電容如何出現(xiàn)在BJT或FET的交流等效電路中。20.2節(jié)中有式(10.1)和(10.2)的推導(dǎo)過程。