為了使晶體管能夠正確地當(dāng)作放大器使用，兩個(gè)PN結(jié)必須使用外加直流電壓正確地施加偏壓。在這一節(jié)中，我們使用NPN晶體管示范說(shuō)明。NPN的動(dòng)作和PNP是一樣的，只有電子和空穴所扮演的角色、偏壓的極性，還有電流的方向完全相反而已。
    在學(xué)完本節(jié)后，你應(yīng)該能夠：說(shuō)明如何施加晶體管的偏壓，參與討論晶體管電流，以及偏壓和電流之間的關(guān)系；說(shuō)明正向一反向偏壓；說(shuō)明如何將晶體管連接到偏壓電壓源；描述晶體管的基本內(nèi)部工作原理；列出和晶體管中昀集電極、發(fā)射極和基極電流相關(guān)的公式。
    圖4.3顯示將NPN和PNP晶體管當(dāng)作放大器來(lái)使用時(shí)，正確的偏壓方式。請(qǐng)注意，在這兩種情況下的基極一發(fā)射極(BE)結(jié)均是正向偏壓，而基極一集電極(BC)結(jié)則為反向偏壓。

             
    為了說(shuō)明晶體管的動(dòng)作特性，讓我們來(lái)看看在NPN晶體管內(nèi)到底發(fā)生了什么。從基極到發(fā)射極的正向偏壓讓BE耗盡區(qū)變窄，從基極到集電極的正向偏壓將BC耗盡區(qū)加寬，如圖4.4中所示。（高摻雜濃度）的N型發(fā)射極區(qū)域注入（導(dǎo)）帶（自由）電子，可以輕易地?cái)U(kuò)散通過(guò)正向偏壓的BE結(jié)而進(jìn)入P型基極區(qū)域，這些電子成為少數(shù)載流子，就如同正向偏壓下的二極管一樣�；鶚O區(qū)域（內(nèi)摻雜濃度低）且非常薄，因此它的空穴數(shù)目十分有限。因此，只有少部分通過(guò)BE結(jié)的電子能夠與基極的空穴結(jié)合。這些相對(duì)少量結(jié)合的電子成為價(jià)電子流，從基極端流出，形成一般小量的基極電子流，如圖4.4所示。
    大部分從發(fā)射極流向薄且低摻入雜質(zhì)基極的電子，都不會(huì)與空穴重新結(jié)合，而是擴(kuò)散進(jìn)入BC耗盡區(qū)。電子一旦進(jìn)入這個(gè)區(qū)域，由正離子和負(fù)離子之間吸引力所產(chǎn)生的電場(chǎng)，就會(huì)將這些電子拉著通過(guò)反向偏壓下的BC結(jié)。事實(shí)上，你可以想象電子受到集黽極電壓吸引，而被拉著通過(guò)反向偏壓下的BC結(jié)。電子現(xiàn)在移動(dòng)通過(guò)集電極區(qū)域，再向外通過(guò)集電極引腳，然后進(jìn)入集電極電壓源的正極。這就形成集電極電子流，如圖4.4中所示。集電極電流遠(yuǎn)比基極電流來(lái)得大。這就是晶體管會(huì)呈現(xiàn)電流增益的原因。

                     
   1.晶體管電流
    晶體管中的電流方向，以及它的電路符號(hào)都顯示在圖4.5(a)中，F1AGPCC04A 至于PNP型晶體管則顯示在圖4.5(b)中。請(qǐng)注意，在晶體管符號(hào)發(fā)射極的箭頭，指向傳統(tǒng)電流的方向。這些圖顯示發(fā)射極電流(IE)為集電極電流(Ic)和基極電流(IB)的總和，由下式表示：
                         I_E=Ic+I_B   (4.1)
    如前所述，IB比起IE或IC小很多。大寫字母的下標(biāo)代表的是直流值。