認(rèn)識(shí)元器件實(shí)物是學(xué)習(xí)元器件的第一步，了解其特點(diǎn)、個(gè)性才能用好它們。
    1．碳膜電阻器
    它在目前電子電路中使用量最大，價(jià)格最便宜，品質(zhì)穩(wěn)定性高，噪聲小，應(yīng)用廣泛。阻值范圍：1Ω～10MΩ。
    2．合成碳膜電阻器
    它是將碳黑、石墨、填充料與有機(jī)黏合劑配成懸浮液，將其涂敷于絕緣骨架上，再經(jīng)加熱聚合后制成。
    合成碳膜電阻器可分為高阻合成碳膜電阻器、高壓合成碳膜電阻器和真空兆歐合成碳膜電阻器等多種。
    這種電阻器的電阻阻值變化范圍寬，價(jià)格低廉，但噪聲大，頻率特性差，電壓穩(wěn)定性低，抗?jié)裥圆�，主要用來制造高壓、高阻電阻器�?BR>    3．金屬膜電阻器
    它采用金屬膜作為導(dǎo)電層，也屬于膜式電阻器。它是用高真空加熱蒸發(fā)（或高溫分解、化學(xué)沉積、燒滲等方法）技術(shù)將合金材料蒸鍍?cè)诠羌苌现瞥伞Ｍㄟ^刻槽或改變金屬膜的厚度，可以制成不同阻值的金屬膜電阻器。
    金屬膜電阻器又分為普通金屬膜電阻器、半精密金屬膜電阻器、高精密金屬膜電阻器、高壓金屬膜電阻器等多種。
    這種電阻器與碳膜電阻器相比，體積小，噪聲小，穩(wěn)定性高，溫度系數(shù)小，耐高溫，精度高，但脈沖負(fù)載穩(wěn)定性羞。阻值范圍：O.lΩ～620MΩ。
    4．金屬氧化膜電阻器
    它除具有金屬膜電阻器的特點(diǎn)外，比金屬膜電阻器的抗氧化性和熱穩(wěn)定性高，功率大（可達(dá)50kW），但阻值范圍小，主要用來補(bǔ)充金屬膜電阻器的低阻部分。阻值范圍：1Ω～200kΩ。
    5．合成實(shí)心電阻器
    它機(jī)械強(qiáng)度高，過負(fù)載能力較強(qiáng)，可靠性高，體積小，但噪聲大，分布參數(shù)（L、C）大，對(duì)電壓和溫度的穩(wěn)定性差。阻值范圍：4.7Ω～22MΩ。
    6．功率耐沖擊玻璃釉膜電阻器
    它是用金屬玻璃釉鍍于磁棒上面，有著極佳的耐；中擊特性及高溫穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于高功率設(shè)備。
    7．線繞低感（無感）電阻器
    它將電阻線繞在耐熱瓷體上，表面涂以耐熱、耐濕、無腐蝕的不燃性涂料加以保護(hù)。
    主要特點(diǎn)有耐熱性優(yōu)、溫度系數(shù)小、重量輕、耐短時(shí)間過負(fù)載、低噪聲、阻值變化小。無感線繞電阻器( NKNP)有著線繞電阻器(KNP)的基本特性及低電感量的優(yōu)點(diǎn)。
    8．涂敷線繞電阻器
    涂敷線繞電阻器產(chǎn)品具有阻值低、體積小、負(fù)荷大、性能穩(wěn)定的特點(diǎn)，主要采用不燃漆包封，使用溫度范圍為-55-+155℃。
    涂敷線繞電阻器主要在線路中應(yīng)用于分壓以及功率負(fù)載。
    9．精密電阻器
    精密電阻器按材料分主要有金屬膜精密電阻器、線繞精密電阻器相金屬箔精密電阻器3種。金屬膜精密電阻器通常為圓柱形，線繞精密電阻器則有圓柱形、扁柱形和長方框架形幾種，金屬箔精密電阻器則常呈方塊形或片形。
    (1)金屬膜精密電阻器的精度較高，但是阻值溫度系數(shù)和分布參數(shù)指標(biāo)略低。精密測量儀器中常用這種電阻器。
    (2)線繞精密電阻器的阻值精度和溫度系數(shù)指標(biāo)很高，但是分布參數(shù)指標(biāo)偏低。線繞精密電阻器的匝數(shù)較多時(shí)，往往采用無感繞制法繞制，即正向繞制的匝數(shù)和反向繞制的匝數(shù)相同，以盡量減小分布電感。
   (3)金屬箔精密電阻器的精度、阻值溫度系數(shù)和分布參數(shù)各項(xiàng)指標(biāo)都很高，精度可達(dá)10^-6，溫度系數(shù)可達(dá)±0.3×10^-6/℃，分布電容可低于0.5μF，分布電感可低于O.lμH，但是價(jià)格在這3種電阻中是最高的。
    精密電阻器也可應(yīng)用于金屬膜熔斷電阻器。
    10.高阻電阻器
    高阻電阻器是高阻值的碳合成膜電阻器，阻值一般在l0⁷～l0¹²Ω范圍內(nèi)，其結(jié)構(gòu)與碳膜
電阻器相同。
    電阻值高于l0¹²Ω以上的電阻器，對(duì)基體和電阻膜上涂敷層的絕緣性能有更高的要求，可采用絕緣性能更好的超高頻瓷或滑石瓷作基體。
    11.高頻負(fù)載電阻器
    高頻負(fù)載電阻器為終端負(fù)載電阻器，KA2284使用在具有高功耗的高頻電路中，安裝在適當(dāng)?shù)纳崞魃希诟哳l功率下具有低的駐波比。