半導體光電器件是把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來，使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導體器件。光電器件主要有，利用半導體光敏特性工作的光電導器件，利用半導體光伏打效應工作的光電池和半導體發(fā)光器件等。這一節(jié)中簡略地向大家介紹一下這些光電器件的工作原理。

    一、 光電導器件

    本章第一節(jié)曾介紹過半導體材料的光敏特性，即當半導體材料受到一定波長光線的照射時，其電阻率明顯減小，或說電導率增大的特性。這個現(xiàn)象也叫半導體的光電導特性。利用這個特性制作的半導體器件叫光電導器件。

    半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。載流子就是由半導體原子 逸出來的電子及其留下的空位----- 空穴。電從原子中逃逸出來，必須吉兇服原子的束縛而做功，而光照正是向電子提供能量，使它有能力逃逸出來的一種形式。因此，光照可以改變載流子的濃度，從而必變半導體的電導率。

    光電導器件主要有光敏電阻、光電二極管光電三極管等。

    1·光敏電阻。

    這是一種半導體電阻。在沒有光照時，電阻很大；在一定波長范圍的光照下，電阻值明顯變小。制作光敏電阻的材料主要有硅、鍺、硫化鎘、銻化銦、硫化鉛、硒化鎘、硒化鉛等。硫化鎘光敏電阻對可見光敏感，用硫化鎘單晶制造的光敏電阻對X射線、γ射線也敏感；硫化鉛和銻化銦對紅線外線光敏感。利用這些光敏電阻可以制成各種光探測器。

    感光面積大的光敏電阻，可以獲得較大的明暗電阻差。如國產(chǎn)625-A型硫化鎘光敏電阻，其光照電阻小于50千歐，暗電阻大于50兆歐。

    2·光電二極管

    光電二極管的管芯也是一個PN結(jié)，只是結(jié)面積比普通二極管大，便于接收光線。但和普通二極管不同，光電二極管是在反向電壓下工作的。它的暗電流很小，只有0 1微安左右。在光線照射下產(chǎn)生的電子----空穴對叫光生載流子，它們參加導電會增大反向飽和電流。光生載流子的數(shù)量與光強度有關，因此，反向飽和電流會隨著光強的變化而變化，從而可以把光信號的變化轉(zhuǎn)為電流及電壓的變化。

    光電二極管的結(jié)構(gòu)及符號如圖表-29所示。光電二極管主要用于近紅外探測器及光電轉(zhuǎn)換的自動控制儀器中，還可以作為光導纖維通信的接收器件。

    3·光電三極度管：

    光電三極管的結(jié)構(gòu)與普通三極度管相同，但基區(qū)面積較大，便函于接收更多的入射光線。入射光在基區(qū)激發(fā)出電子----空穴時，形成基極電流，而集電極電流是基極電流β倍，因此光照便能有效地控制集電極電流。光電三極管比光電二極管有更高的靈敏度。

    二、光伏打器件----硅光電池

    半導體PN結(jié)在受到光照射時能產(chǎn)生電動勢的效應，叫光伏打效應。硅光電池就是利用光伏打效應將光能直接換成電能的半導體器件。

    硅光電池就是一個大面積PN結(jié)。光照可以使薄薄的P型區(qū)產(chǎn)生大量的光生載流子。這些光生電子和空穴，會向PN結(jié)方向擴散。擴散過程中，一部分電子和空穴復合消失，大部分擴散到PN結(jié)邊緣。在結(jié)電場的作用下，大部分光生空穴被電場推回P型區(qū)而不能穿越PN結(jié)；大部分光生電阻卻受到結(jié)電場的加速作用穿越PN結(jié)，到達N型區(qū)。隨著光生電子在N型區(qū)的積累及光生空穴在P型號區(qū)的積累，會在在PN對的兩側(cè)產(chǎn)生一個穩(wěn)定的電位差，這就是光生電動勢。當光電池兩端接有負載時，將有電流流過負載，起著電池的作用。

    硅光電池的用途極度為廣泛。主要用于下述幾個方面：

    能源----硅光電池串聯(lián)或并聯(lián)組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造成衛(wèi)星、宇宙飛船、航標燈、無人氣象站等設備的電源；也可做電子手表、電子計算器、小型號汽車、游艇等的電源。

    光電檢測器件----用作近紅外探測器、光電讀出、光電耦合、激光準直、電影還音等設備的光感受器。

    光電控制器件----用作光電開關等光電控制設備的轉(zhuǎn)換器件。

    三、半導體發(fā)光器件

    半導體發(fā)光器件是一種將電能轉(zhuǎn)換成光能的器件。它包括發(fā)光二極管、紅外光源、半導體發(fā)光數(shù)字管等。

    1·發(fā)光二極管

    發(fā)光二極管的管芯也是一個PN結(jié)，并具有單向?qū)щ娦�。PN結(jié)加上正向電壓時，電子由N區(qū)渡越（擴散）到空間電荷區(qū)與空穴復合而釋放出能量。這些能量大