在純凈半導(dǎo)體（本征半導(dǎo)體）中摻入微量合適的雜質(zhì)元素，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力大大增強(qiáng)。按摻入的雜質(zhì)元素不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體可分為兩類。AD7510DISQ Q   

    (1)N型半導(dǎo)體
    N型半導(dǎo)體又稱為電子型半導(dǎo)體，其內(nèi)部自由電子數(shù)量多于空穴數(shù)量．即自由電子是多數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱多子），空穴是少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱少子）。例如，在單晶硅中摻入微量磷元素，可得到N型硅，如圖1 - 2(a)所示。由圖1-2(a)可知，多余的1個(gè)價(jià)電子不參加共價(jià)鍵，形成自由電子，而磷原子因失去電子變成了正離子，其空間電荷如圖1 - 2(b)所示。圖中自由電子數(shù)大
于空穴數(shù)，所以自由電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子，這種導(dǎo)電以自由電子為主的半導(dǎo)體就稱為N型半導(dǎo)體。

                             
  
    (2)P型半導(dǎo)體
    P型半導(dǎo)體又稱為空穴型半導(dǎo)體，其內(nèi)部空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。例如，在單晶硅中摻入微量硼元素，可得到P型硅，如圖1 - 3(a)所示。由圖1- 3(a)可知，加入三價(jià)元素硼之后多了一個(gè)空穴，這個(gè)空穴就是載流子，具有導(dǎo)電性能。硼原子因多了一個(gè)空穴而變成了負(fù)離子，其空間電荷如圖1 - 3(b)所示。圖中空穴數(shù)大于自由電子數(shù)，空穴為多數(shù)載
流子，而自由電子為少數(shù)載流子，導(dǎo)電以空穴為主，這種半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。從以上分析看，摻人少量的某種元件，可使晶體中的自由電子或空穴數(shù)量劇增，從而大大提高了半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。
 
    在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子起主要導(dǎo)電作用。由于多數(shù)載流子的數(shù)量取決于摻雜濃度，因而它受溫度的影響較�。欢贁�(shù)載流子對(duì)溫度非常敏感，這將影響半導(dǎo)體的性能。