單一的N型或P型半導(dǎo)體只起電阻作用，AD7687 不能制成半導(dǎo)體器件。但是如果將這兩種類型的半導(dǎo)體以某種形式結(jié)合在一塊，構(gòu)成PN結(jié)，使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能受到限制，從而制成各種半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管、晶閘管分別由1個(gè)、2個(gè)、3個(gè)PN結(jié)構(gòu)成。PN結(jié)形成的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1-4所示。圖中，由于P區(qū)的空穴濃度大于N區(qū)的空穴濃度，所以P區(qū)的空穴就要向N區(qū)擴(kuò)散。同理，N區(qū)的自由電子也要向P區(qū)擴(kuò)散。兩邊擴(kuò)散來的電子和空穴復(fù)合而消失，在交界處留下了帶正、負(fù)電荷的離子，稱為空間電荷區(qū)。在這個(gè)區(qū)域內(nèi)，電子和空穴全部復(fù)合消耗盡了，所以這個(gè)空間電荷區(qū)又稱為耗盡層：這個(gè)空間電荷區(qū)產(chǎn)生了內(nèi)電場，其方向是由正電荷區(qū)到負(fù)電荷區(qū)．即由N到P。從圖中看，內(nèi)電場的作用有兩個(gè)：
    ②推動少數(shù)載流子越過空間電荷區(qū)進(jìn)入另一側(cè)，這稱為少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動。
    從N區(qū)漂移到P區(qū)的空穴，填補(bǔ)了P區(qū)失去的空穴；從P區(qū)漂移到N區(qū)的電子，填補(bǔ)了N區(qū)失去的電子，從而使空間電荷減少，內(nèi)電場削弱，又有利于擴(kuò)散而不利于漂移。結(jié)果，因載流子的擴(kuò)散運(yùn)動而建立的空間電荷區(qū)又因載流子的漂移運(yùn)動而變窄。由此可見，擴(kuò)散與漂移既相互聯(lián)系，又相互矛盾。擴(kuò)散使空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場增強(qiáng)，反過來擴(kuò)散阻力加大，使漂移
容易進(jìn)行。而漂移又使空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場削弱，這又使擴(kuò)散容易而阻礙漂移�？傊�，內(nèi)電場削弱（變窄），擴(kuò)散容易。內(nèi)電場加強(qiáng)（變寬），漂移容易。當(dāng)擴(kuò)散和漂移平衡時(shí)，交界面處就形成了一個(gè)穩(wěn)定的空間電荷區(qū)，稱為PN結(jié)。