意法半導(dǎo)體( ST)
發(fā)布時(shí)間:2012/2/18 21:36:38 訪問(wèn)次數(shù):1137
為應(yīng)對(duì)低功耗的嚴(yán)格要求,意法半導(dǎo)體( ST)推出了基于ARM Cortex- M3內(nèi)桉的32位超低功耗微控制器STM32L[10],能夠有效降低靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗。B012355-CMPV-DOL
STM32L構(gòu)建在意法半導(dǎo)體獨(dú)創(chuàng)的超低功耗平臺(tái)EnergyLite之上。該平臺(tái)采用130nm超低漏電流工藝,可降低25%的漏電流;并且產(chǎn)品系列之間采用相同的硬件架構(gòu),實(shí)現(xiàn)了外設(shè)兼容。無(wú)論是在工作還是睡眠模式下,EnergyLite平臺(tái)都能最大限度地提高能效。STM32L結(jié)構(gòu)框圖如圖2.4所示。
STM32L專為功耗敏感應(yīng)用而設(shè)計(jì),它不僅達(dá)到了超低功耗目標(biāo),更實(shí)現(xiàn)了對(duì)能源的有效利用。新增的低功耗運(yùn)行和低功耗睡眠模式,通過(guò)利用超低功耗穩(wěn)壓器和振蕩器,微控制器可大幅降低低頻下的工作功耗。穩(wěn)壓器不依賴電源電壓即可滿足電流要求。動(dòng)態(tài)電壓升降功能可降低芯片在中低頻運(yùn)行時(shí)的內(nèi)部工作電壓。在正常運(yùn)行模式下,閃存的電流消耗最低為230p A/MHz.STM32L的功耗/性能比降至185I.LA/DMIPS,而同類產(chǎn)品的該參考值通常大于443卜LA/DMIPS。
為應(yīng)對(duì)低功耗的嚴(yán)格要求,意法半導(dǎo)體( ST)推出了基于ARM Cortex- M3內(nèi)桉的32位超低功耗微控制器STM32L[10],能夠有效降低靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗。B012355-CMPV-DOL
STM32L構(gòu)建在意法半導(dǎo)體獨(dú)創(chuàng)的超低功耗平臺(tái)EnergyLite之上。該平臺(tái)采用130nm超低漏電流工藝,可降低25%的漏電流;并且產(chǎn)品系列之間采用相同的硬件架構(gòu),實(shí)現(xiàn)了外設(shè)兼容。無(wú)論是在工作還是睡眠模式下,EnergyLite平臺(tái)都能最大限度地提高能效。STM32L結(jié)構(gòu)框圖如圖2.4所示。
STM32L專為功耗敏感應(yīng)用而設(shè)計(jì),它不僅達(dá)到了超低功耗目標(biāo),更實(shí)現(xiàn)了對(duì)能源的有效利用。新增的低功耗運(yùn)行和低功耗睡眠模式,通過(guò)利用超低功耗穩(wěn)壓器和振蕩器,微控制器可大幅降低低頻下的工作功耗。穩(wěn)壓器不依賴電源電壓即可滿足電流要求。動(dòng)態(tài)電壓升降功能可降低芯片在中低頻運(yùn)行時(shí)的內(nèi)部工作電壓。在正常運(yùn)行模式下,閃存的電流消耗最低為230p A/MHz.STM32L的功耗/性能比降至185I.LA/DMIPS,而同類產(chǎn)品的該參考值通常大于443卜LA/DMIPS。
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