使用外設(shè)模塊禁止(PMD)位
發(fā)布時(shí)間:2012/2/19 19:06:32 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1205
PIC24、dsPIC⑩DSC和PIC32器件具有PMD位,可用于禁止應(yīng)用中不使用的外設(shè)。置1這些位會(huì)斷開(kāi)模塊的所有電源,以及模塊的SFR。因?yàn)镻WD位會(huì)完全移除電源,所以與通過(guò)關(guān)閉模塊的使能位而禁止模塊相比,這些位可以節(jié)省更多電能。這些位可以動(dòng)態(tài)更改,所以對(duì)于那些只是間隙使用的模塊,可以在應(yīng)用的其余時(shí)間禁止它們。在高時(shí)鐘速度下全速工作時(shí),PMD位的效率最高,通過(guò)它們可以顯著降低平均功耗。AD620
低功耗Timerl振蕩器的使用
所有nanoWatt XLP單片機(jī)都具有一個(gè)可靠的Timerl振蕩器(PIC24上為SOSC),它消耗的電流為800nA,采用納瓦技術(shù)的器件提供了低功耗Time,1,它消耗的電流為2~3斗A。
一些器件提供了可選的振蕩器,可以在低功耗或高驅(qū)動(dòng)能力模式下使用,以適應(yīng)低功耗或噪聲較高的應(yīng)用。Timerl計(jì)數(shù)器和振蕩器可以用于產(chǎn)生中斷,以定期將單片機(jī)從休眠和其他功耗管理模式中喚醒。此外,還可以基于它們產(chǎn)生實(shí)時(shí)時(shí)鐘。Time,1/SOS喚醒選項(xiàng)因器件而異。許多nanoWatt XLP器件具有內(nèi)置的硬件實(shí)時(shí)時(shí)鐘日歷(RTCC).它的喚醒周期可以配置為1秒至許多年。部分納瓦器件和所有nanoWatt XLP器件還可以使用Timerl/SOSC振蕩器作為系統(tǒng)時(shí)鐘源,代替OSCl/OSC2引腳上的主振蕩器。通過(guò)降低執(zhí)行速度,可降低消耗的總電流。
需要納瓦和nanoWatt XLP器件上極低功耗的Timerl/SOSC振蕩器的應(yīng)用必須仔細(xì)考慮PCB布線(xiàn)。納瓦和nanoWatt XLP器件上的極低功耗Timerl/SOSC振蕩器消耗的電流極低,有時(shí)這會(huì)使振蕩電路對(duì)于鄰近電路非常敏感。振蕩電路(晶振和電容)應(yīng)該盡可能靠近單片機(jī)。
不應(yīng)有任何電路穿過(guò)振蕩電路的邊界。如果無(wú)法避免在振蕩旁布置高速電路,則應(yīng)在振蕩電路和單片機(jī)引腳周?chē)胖帽:蚆CU引腳周?chē)谋Wo(hù)環(huán)護(hù)環(huán),如圖2. 15所示。在振蕩器元件下方放置地平面也可以幫助防止與高速電路的相互作用。
PIC24、dsPIC⑩DSC和PIC32器件具有PMD位,可用于禁止應(yīng)用中不使用的外設(shè)。置1這些位會(huì)斷開(kāi)模塊的所有電源,以及模塊的SFR。因?yàn)镻WD位會(huì)完全移除電源,所以與通過(guò)關(guān)閉模塊的使能位而禁止模塊相比,這些位可以節(jié)省更多電能。這些位可以動(dòng)態(tài)更改,所以對(duì)于那些只是間隙使用的模塊,可以在應(yīng)用的其余時(shí)間禁止它們。在高時(shí)鐘速度下全速工作時(shí),PMD位的效率最高,通過(guò)它們可以顯著降低平均功耗。AD620
低功耗Timerl振蕩器的使用
所有nanoWatt XLP單片機(jī)都具有一個(gè)可靠的Timerl振蕩器(PIC24上為SOSC),它消耗的電流為800nA,采用納瓦技術(shù)的器件提供了低功耗Time,1,它消耗的電流為2~3斗A。
一些器件提供了可選的振蕩器,可以在低功耗或高驅(qū)動(dòng)能力模式下使用,以適應(yīng)低功耗或噪聲較高的應(yīng)用。Timerl計(jì)數(shù)器和振蕩器可以用于產(chǎn)生中斷,以定期將單片機(jī)從休眠和其他功耗管理模式中喚醒。此外,還可以基于它們產(chǎn)生實(shí)時(shí)時(shí)鐘。Time,1/SOS喚醒選項(xiàng)因器件而異。許多nanoWatt XLP器件具有內(nèi)置的硬件實(shí)時(shí)時(shí)鐘日歷(RTCC).它的喚醒周期可以配置為1秒至許多年。部分納瓦器件和所有nanoWatt XLP器件還可以使用Timerl/SOSC振蕩器作為系統(tǒng)時(shí)鐘源,代替OSCl/OSC2引腳上的主振蕩器。通過(guò)降低執(zhí)行速度,可降低消耗的總電流。
需要納瓦和nanoWatt XLP器件上極低功耗的Timerl/SOSC振蕩器的應(yīng)用必須仔細(xì)考慮PCB布線(xiàn)。納瓦和nanoWatt XLP器件上的極低功耗Timerl/SOSC振蕩器消耗的電流極低,有時(shí)這會(huì)使振蕩電路對(duì)于鄰近電路非常敏感。振蕩電路(晶振和電容)應(yīng)該盡可能靠近單片機(jī)。
不應(yīng)有任何電路穿過(guò)振蕩電路的邊界。如果無(wú)法避免在振蕩旁布置高速電路,則應(yīng)在振蕩電路和單片機(jī)引腳周?chē)胖帽:蚆CU引腳周?chē)谋Wo(hù)環(huán)護(hù)環(huán),如圖2. 15所示。在振蕩器元件下方放置地平面也可以幫助防止與高速電路的相互作用。
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