在大多數(shù)情況下，反饋電阻RF是內(nèi)嵌在振蕩器電路內(nèi)的（至少在ST的MCU中是如此）。它的作用是通過(guò)引入反饋使反向器的功能等同于放大器。VIN和vOUT之間增加的反饋電阻使放大器在VOUT=VIN時(shí)產(chǎn)生偏置，迫使反相器工作在線性區(qū)域。該放大器放大了晶振的正常工作區(qū)域內(nèi)的在并聯(lián)諧振區(qū)內(nèi)的噪聲（如晶振的熱噪聲）（注：工作在線性區(qū)的反向器等同于一個(gè)反向放大器），從而引發(fā)晶振起振。在某些情況下，如果在起振后去掉反饋電阻RF，振蕩器仍可以繼續(xù)正常運(yùn)轉(zhuǎn)。NB12K00103JBA    

    RF的典型值見(jiàn)表2.25。

   負(fù)載電容CL

    負(fù)載電容CL是指連接到晶振上的終端電容。CL值取決于外部電容器CL1、CL2。，以及印制電路板上的雜散電容(CS)。CL值由由晶振制造商給出。保證振蕩頻率精度，主要取決于振蕩電路的負(fù)載電容與給定的電容值是否相同，保證振蕩頻率穩(wěn)定度主要取決于負(fù)載電容保持不變。外部電容器CL1和CL2可用來(lái)調(diào)整CL，使之達(dá)到晶振制造商的標(biāo)定值。