移動(dòng)SDRAM
發(fā)布時(shí)間:2012/2/24 18:59:18 訪問次數(shù):1051
有較高功耗要求的嵌入式應(yīng)用JK16-075 可選用移動(dòng)SDRAM或低功耗SDRAM。在這些應(yīng)用中,SDRAM使用不頻繁,大部分時(shí)間都處于空閑狀態(tài)。移動(dòng)SDRAM提供了一種特殊模式,可在SDRAM窒閑時(shí)降低功耗,而Blackfin處理器支持這種特性就是溫度補(bǔ)償自刷新(TCSR)和部分陣列自刷新。溫度補(bǔ)償自刷新特性允許在溫度低于45℃時(shí),減小空閑狀態(tài)下的白刷新頻率。存儲(chǔ)單元的漏電與溫度密切相關(guān),溫度較高時(shí),漏電比低溫時(shí)快。標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的自刷新率是根據(jù)高溫最壞情況設(shè)定的,且SDRAM也是特定的。在Blackfin處理器中,可通過EBIU_SDGCTL寄存器中的TCSR位設(shè)置溫度,TCSR的值代表溫度上限(如45℃意味著工作環(huán)境溫度低于45℃)。
許多應(yīng)用程序僅使用SDRAM設(shè)備的一部分來緩存數(shù)據(jù)數(shù)組,而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)處理后,因此,此時(shí)采用部分陣列自刷新特性是節(jié)省功率的一種好方法。該特性可使應(yīng)用程序選擇空閑模式下要刷新的存儲(chǔ)器塊。如果SDRAM上保存有程序代碼,應(yīng)將其放人SDRAM的存儲(chǔ)器塊0和1中,否則程序代碼會(huì)丟失。
對(duì)于該應(yīng)用,應(yīng)使用低電壓(1. 8V或2.SV)Blackfin處理器。
許多應(yīng)用程序僅使用SDRAM設(shè)備的一部分來緩存數(shù)據(jù)數(shù)組,而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)處理后,因此,此時(shí)采用部分陣列自刷新特性是節(jié)省功率的一種好方法。該特性可使應(yīng)用程序選擇空閑模式下要刷新的存儲(chǔ)器塊。如果SDRAM上保存有程序代碼,應(yīng)將其放人SDRAM的存儲(chǔ)器塊0和1中,否則程序代碼會(huì)丟失。
對(duì)于該應(yīng)用,應(yīng)使用低電壓(1. 8V或2.SV)Blackfin處理器。
有較高功耗要求的嵌入式應(yīng)用JK16-075 可選用移動(dòng)SDRAM或低功耗SDRAM。在這些應(yīng)用中,SDRAM使用不頻繁,大部分時(shí)間都處于空閑狀態(tài)。移動(dòng)SDRAM提供了一種特殊模式,可在SDRAM窒閑時(shí)降低功耗,而Blackfin處理器支持這種特性就是溫度補(bǔ)償自刷新(TCSR)和部分陣列自刷新。溫度補(bǔ)償自刷新特性允許在溫度低于45℃時(shí),減小空閑狀態(tài)下的白刷新頻率。存儲(chǔ)單元的漏電與溫度密切相關(guān),溫度較高時(shí),漏電比低溫時(shí)快。標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的自刷新率是根據(jù)高溫最壞情況設(shè)定的,且SDRAM也是特定的。在Blackfin處理器中,可通過EBIU_SDGCTL寄存器中的TCSR位設(shè)置溫度,TCSR的值代表溫度上限(如45℃意味著工作環(huán)境溫度低于45℃)。
許多應(yīng)用程序僅使用SDRAM設(shè)備的一部分來緩存數(shù)據(jù)數(shù)組,而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)處理后,因此,此時(shí)采用部分陣列自刷新特性是節(jié)省功率的一種好方法。該特性可使應(yīng)用程序選擇空閑模式下要刷新的存儲(chǔ)器塊。如果SDRAM上保存有程序代碼,應(yīng)將其放人SDRAM的存儲(chǔ)器塊0和1中,否則程序代碼會(huì)丟失。
對(duì)于該應(yīng)用,應(yīng)使用低電壓(1. 8V或2.SV)Blackfin處理器。
許多應(yīng)用程序僅使用SDRAM設(shè)備的一部分來緩存數(shù)據(jù)數(shù)組,而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)處理后,因此,此時(shí)采用部分陣列自刷新特性是節(jié)省功率的一種好方法。該特性可使應(yīng)用程序選擇空閑模式下要刷新的存儲(chǔ)器塊。如果SDRAM上保存有程序代碼,應(yīng)將其放人SDRAM的存儲(chǔ)器塊0和1中,否則程序代碼會(huì)丟失。
對(duì)于該應(yīng)用,應(yīng)使用低電壓(1. 8V或2.SV)Blackfin處理器。
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