光電電位器是一種非接觸式電位器，它用光束代替一般電位器上的活動(dòng)觸點(diǎn)——電刷。圖3-83是一種電阻型光電電位器的原理結(jié)構(gòu)圖。電阻型光電電位器主要由電阻體、光電導(dǎo)層和導(dǎo)電電極等組成。光電電位器的制作過程是：先在基體上沉積一層硫化鎘或硒化鎘的光導(dǎo)電層，然后在光導(dǎo)電層上再沉積一條電阻體和一條導(dǎo)電電極。在電阻體和導(dǎo)電電極之間留有一個(gè)狹窄的間隙。平時(shí)無光照時(shí)，電阻體和導(dǎo)電電極之間由于光電導(dǎo)層阻值很大而呈絕緣狀態(tài)。當(dāng)光束照射在電阻體和導(dǎo)電電極的間隙上時(shí)，由于光導(dǎo)電層被照射部位的亮電阻很小，使電阻體被照射部位和導(dǎo)電電極導(dǎo)通，于是光電電位器的輸出端便有電壓輸出，輸出電壓的大小與光束位移照射到的位置有關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)了將光束位移轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)輸出。D100S06B    
    除了電阻型光電電位器外，還有一種結(jié)型光電電位器，它是利用由半導(dǎo)體制成的二極管取代光敏材料制成的。在一塊高阻硅單晶片上，用擴(kuò)散、外延、光刻等技術(shù)形成兩條反型區(qū)，它們都同基片形成PN結(jié)。其中一條為電阻帶，在它的兩端施加壓；另一條沉積導(dǎo)電層作為集流電極。當(dāng)無光照時(shí)，兩個(gè)反型區(qū)均處于反偏狀態(tài)，阻值很大呈絕緣狀態(tài)；當(dāng)有光照照射在電阻帶和集流電板間時(shí)，兩個(gè)PN結(jié)對(duì)基片有漏電流，在負(fù)載上可得到輸出電壓。結(jié)型光電電位器可通過光刻控制條型區(qū)的寬度，以得到不同的輸出特性。
    光電電位器最大的優(yōu)點(diǎn)是它屬于非接觸型電位器，不存在磨損問題，也不存在任何摩擦力矩，從而有效地提高了電位器的精度、分辨力、可靠性及使用壽命。上述的這些優(yōu)點(diǎn)是其他電位器所無法比擬的，因而在許多重要場(chǎng)合都得到了應(yīng)用。
    光電電位器的不足之處是阻值范圍不大，溫度系數(shù)較大。電阻型光電電位器的溫度系數(shù)在- 20℃~+70℃范圍內(nèi)便高達(dá)0.001~0.01/℃。