引起電子元器件失效的主要原因
發(fā)布時(shí)間:2012/3/7 19:33:36 訪問次數(shù):2345
電子元器件的主要失效原因可以分為兩類,即元器件固有缺陷引起的失效和使用不當(dāng)引起的失效。據(jù)統(tǒng)計(jì),這兩類失效的比率大約各占50%。元器件固有的缺陷大多是由于設(shè)計(jì)材料、生產(chǎn)工藝中存在問題,使元器件留下潛在隱患,當(dāng)這些元器件裝入整機(jī)使用一段時(shí)間后,在外界各種應(yīng)力的作用下,最終發(fā)生失效。而元器件應(yīng)用不當(dāng)形成的失效原因主要有以下幾個(gè)方面。
設(shè)計(jì)不當(dāng)AAD706JR
設(shè)訃不當(dāng)可分為電路設(shè)計(jì)不當(dāng)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不當(dāng)及工藝設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)取2徽撃姆N設(shè)計(jì)不當(dāng),都會(huì)使元器件在應(yīng)用時(shí)受損而失效。設(shè)計(jì)不當(dāng)造成元器件的失效率較高,且會(huì)反復(fù)出現(xiàn)。
例如,某整機(jī)上的CMOS集成電路,在低溫條件下工作失常,而在常溫下又恢復(fù)正常工作。造成這種失效的原因是CMOS電路在低溫下工作時(shí),其延遲時(shí)間縮短了將近40%,使電路的邏輯關(guān)系發(fā)生錯(cuò)誤。這說明在電路設(shè)計(jì)時(shí)沒有考慮CMOS電路的這一特點(diǎn)。
設(shè)計(jì)不當(dāng)AAD706JR
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例如,某整機(jī)上的CMOS集成電路,在低溫條件下工作失常,而在常溫下又恢復(fù)正常工作。造成這種失效的原因是CMOS電路在低溫下工作時(shí),其延遲時(shí)間縮短了將近40%,使電路的邏輯關(guān)系發(fā)生錯(cuò)誤。這說明在電路設(shè)計(jì)時(shí)沒有考慮CMOS電路的這一特點(diǎn)。
電子元器件的主要失效原因可以分為兩類,即元器件固有缺陷引起的失效和使用不當(dāng)引起的失效。據(jù)統(tǒng)計(jì),這兩類失效的比率大約各占50%。元器件固有的缺陷大多是由于設(shè)計(jì)材料、生產(chǎn)工藝中存在問題,使元器件留下潛在隱患,當(dāng)這些元器件裝入整機(jī)使用一段時(shí)間后,在外界各種應(yīng)力的作用下,最終發(fā)生失效。而元器件應(yīng)用不當(dāng)形成的失效原因主要有以下幾個(gè)方面。
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設(shè)訃不當(dāng)可分為電路設(shè)計(jì)不當(dāng)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不當(dāng)及工藝設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)。不論哪種設(shè)計(jì)不當(dāng),都會(huì)使元器件在應(yīng)用時(shí)受損而失效。設(shè)計(jì)不當(dāng)造成元器件的失效率較高,且會(huì)反復(fù)出現(xiàn)。
例如,某整機(jī)上的CMOS集成電路,在低溫條件下工作失常,而在常溫下又恢復(fù)正常工作。造成這種失效的原因是CMOS電路在低溫下工作時(shí),其延遲時(shí)間縮短了將近40%,使電路的邏輯關(guān)系發(fā)生錯(cuò)誤。這說明在電路設(shè)計(jì)時(shí)沒有考慮CMOS電路的這一特點(diǎn)。
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設(shè)訃不當(dāng)可分為電路設(shè)計(jì)不當(dāng)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不當(dāng)及工藝設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)。不論哪種設(shè)計(jì)不當(dāng),都會(huì)使元器件在應(yīng)用時(shí)受損而失效。設(shè)計(jì)不當(dāng)造成元器件的失效率較高,且會(huì)反復(fù)出現(xiàn)。
例如,某整機(jī)上的CMOS集成電路,在低溫條件下工作失常,而在常溫下又恢復(fù)正常工作。造成這種失效的原因是CMOS電路在低溫下工作時(shí),其延遲時(shí)間縮短了將近40%,使電路的邏輯關(guān)系發(fā)生錯(cuò)誤。這說明在電路設(shè)計(jì)時(shí)沒有考慮CMOS電路的這一特點(diǎn)。
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