耐電應(yīng)力設(shè)計(jì)方法

發(fā)布時(shí)間:2012/4/19 20:03:07 訪問次數(shù):1025

    與電應(yīng)力有關(guān)的SGM44599YTQB16/TR失效模式主要為：
    ①高電壓（強(qiáng)電場）引起的擊穿失效。
    ②大電流引起的燒毀失效。
    上述兩種失效與使用過程中的瞬態(tài)電沖擊有關(guān)，如靜電放電或在電感性或電容性電路中通、斷電瞬間誘發(fā)的過大電壓或電流引起的失效。
    ③與熱效應(yīng)伴隨的熱電擊穿失效。
    ④長期電應(yīng)力下使電子元器件發(fā)生緩慢物理化學(xué)變化引起的性能參數(shù)漂移失效。
    針對(duì)上述失效模式在設(shè)計(jì)中主要采用的設(shè)計(jì)措施有：
    ①過電應(yīng)力防護(hù)設(shè)計(jì)，即復(fù)加設(shè)計(jì)過流、過壓保護(hù)結(jié)構(gòu)。例如在集成電路的輸入端復(fù)加設(shè)計(jì)過壓保護(hù)二極管、脈沖防護(hù)電容等。
    ②自修復(fù)設(shè)計(jì)，例如用控制電應(yīng)力引起的開路自修復(fù)設(shè)計(jì)和短路自修復(fù)設(shè)計(jì)。
    ③減少電應(yīng)力的設(shè)計(jì)。例如PNP高壓晶體管的P+環(huán)結(jié)構(gòu)，控制有害離子在電應(yīng)力下劣向漂移的柵控結(jié)構(gòu)等。
    例如集成電路通常采用的抗電應(yīng)力設(shè)計(jì)技術(shù)有抗電遷移設(shè)計(jì)、抗閂鎖效應(yīng)設(shè)計(jì)、防靜電設(shè)計(jì)和防熱載流子效應(yīng)設(shè)計(jì)。
    另外，光照可影響在戶外使用設(shè)備（如交通信號(hào)設(shè)備>中的電子元器件可靠性（如產(chǎn)生浪涌電壓），故也應(yīng)采取特別保護(hù)措施，以提高電子元器件承受由于光照引起的浪涌電壓的能力。

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相關(guān)IC型號(hào): SGM44599YTQB16/TR; SGM45C1E682-4A

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