BiMOS集成電路

發(fā)布時(shí)間:2012/4/21 19:27:00 訪問次數(shù):2368

    雙極型集成電路的LTH4054優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在速度和驅(qū)動(dòng)能力兩個(gè)方面，但功耗大，集成度低；而MOS集成電路具有功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高集成度的優(yōu)點(diǎn)。在一個(gè)單片集成電路中既包含MOS電路，又包含雙極型電路的IC稱之為BiMOS集成電路。BiMOS集成電路一般分為輸入級(jí)、主體電路和輸出級(jí)三部分。一般工藝途徑為輸入級(jí)和輸出級(jí)采用一種工藝，主體電路采用另外一種工藝。當(dāng)主體電路要求速度快時(shí)，采用雙極工藝。輸入、輸出采用MOS工藝；當(dāng)主體邏輯功能電路要求高集成度、輸入、輸出級(jí)高速度或輸出要求驅(qū)動(dòng)能力時(shí)，主體電路采用MOS工藝，而輸入、輸出級(jí)采用雙極工藝。如果BiMOS篥成電路中MOS部分采用MOS工藝，稱之為BinMOS電路。有時(shí)簡(jiǎn)稱為BiMOS電路。若BiMOS電路中的MOS電路部分采用CMOS工藝，則稱之為BiCMOS電路。現(xiàn)在BiMOS電路的大部分為BiCMOS電路。
    GaAs集成電路
    采用砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體材料制造的單片集成電路稱之為GaAs集成電路。它是繼硅集成電路之后的一種半導(dǎo)體集成電路。砷化鎵材料的特點(diǎn)是載流子遷移率遠(yuǎn)比硅高，因而其最大的優(yōu)點(diǎn)是速度快，數(shù)字電路的開關(guān)速度為皮秒( ps)數(shù)量級(jí)。GaAs集成電路可廣泛應(yīng)用于微波領(lǐng)域，制成微波集成發(fā)射／接收組件，微波低噪聲放大器、微波功率放大器、微波振蕩器，以及各種微波集成控制電路，如微波混頻器、微波調(diào)制器、微波轉(zhuǎn)換開關(guān)、微波移相器、微波衰減器等。

    雙極型集成電路的LTH4054優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在速度和驅(qū)動(dòng)能力兩個(gè)方面，但功耗大，集成度低；而MOS集成電路具有功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高集成度的優(yōu)點(diǎn)。在一個(gè)單片集成電路中既包含MOS電路，又包含雙極型電路的IC稱之為BiMOS集成電路。BiMOS集成電路一般分為輸入級(jí)、主體電路和輸出級(jí)三部分。一般工藝途徑為輸入級(jí)和輸出級(jí)采用一種工藝，主體電路采用另外一種工藝。當(dāng)主體電路要求速度快時(shí)，采用雙極工藝。輸入、輸出采用MOS工藝；當(dāng)主體邏輯功能電路要求高集成度、輸入、輸出級(jí)高速度或輸出要求驅(qū)動(dòng)能力時(shí)，主體電路采用MOS工藝，而輸入、輸出級(jí)采用雙極工藝。如果BiMOS篥成電路中MOS部分采用MOS工藝，稱之為BinMOS電路。有時(shí)簡(jiǎn)稱為BiMOS電路。若BiMOS電路中的MOS電路部分采用CMOS工藝，則稱之為BiCMOS電路�，F(xiàn)在BiMOS電路的大部分為BiCMOS電路。
    GaAs集成電路
    采用砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體材料制造的單片集成電路稱之為GaAs集成電路。它是繼硅集成電路之后的一種半導(dǎo)體集成電路。砷化鎵材料的特點(diǎn)是載流子遷移率遠(yuǎn)比硅高，因而其最大的優(yōu)點(diǎn)是速度快，數(shù)字電路的開關(guān)速度為皮秒( ps)數(shù)量級(jí)。GaAs集成電路可廣泛應(yīng)用于微波領(lǐng)域，制成微波集成發(fā)射／接收組件，微波低噪聲放大器、微波功率放大器、微波振蕩器，以及各種微波集成控制電路，如微波混頻器、微波調(diào)制器、微波轉(zhuǎn)換開關(guān)、微波移相器、微波衰減器等。

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相關(guān)技術(shù)資料: 4-21BiMOS集成電路

相關(guān)IC型號(hào): LTH4054; 暫無(wú)最新型號(hào)

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