機(jī)器模型（MM模型）模擬在ACT4065自動(dòng)測試過程中，帶靜電的機(jī)器接觸到集成電路時(shí)的ESD的泄漏情況。MM模型類似于HBM模型，但參數(shù)不同：CESD一lOOpF，RESD、LESD可以忽略，MM模型產(chǎn)生一個(gè)振蕩的泄放波形，其峰值電流較大，上升時(shí)間較短，如圖2. 18所示。

   CDM模型
   充電器件模型（CDM模型）模擬器件自誘發(fā)的泄漏，在這里未接地的管腳在生產(chǎn)或封裝過程中通過一個(gè)接地的管腳充電。圖2. 19和圖2.20分別表示了CDM模型的等效模型和典型的泄放波形。其上升時(shí)間很短(f，大約為Ins)，泄放電流很高。