將改進(jìn)的漢明碼應(yīng)用到單位EAM5045AV誤差檢測(cè)和矯正(single-bit error detection andcorrection，SEDC)，256Kb EEPROM可以在全溫范圍內(nèi)滿足105次的耐久性和10午的保持特性。圖2. 66給出了基于隧道氧化層介質(zhì)中隨機(jī)缺陷假設(shè)下，SEDC技術(shù)所帶來(lái)的耐久性的提高。例如，為了達(dá)到百分之一的失效率，在沒(méi)有誤差矯正的情況下，要求在256Kb陣列的缺陷數(shù)為0.01，但果采用誤差矯正設(shè)計(jì)后，要求陣列中的缺陷數(shù)就可以放松到15個(gè)，就是說(shuō)，提高了3個(gè)數(shù)量級(jí)。

                      
    漢明碼的選擇應(yīng)綜合考慮速度和減少芯片面積。奇偶由5輸入的異或門產(chǎn)生。每一位校驗(yàn)位是一個(gè)校驗(yàn)位和5數(shù)據(jù)靈敏輸出的異或。奇偶位產(chǎn)生器和校驗(yàn)位產(chǎn)生器分享同一個(gè)異或電路。一個(gè)多路選擇器根據(jù)讀／寫(xiě)態(tài)，將適當(dāng)?shù)妮斎朕D(zhuǎn)換到異或門的輸入。在典型的狀態(tài)下，SEDC電路增加了7ns的存取時(shí)間，僅占據(jù)23%的芯片面積。