EEPROM -個重要的失效模式EAM5045DV是隧道氧化層擊穿。已經(jīng)證明，本征單元的耐久性高于106個E/W周期。但是在存儲單元中存在少數(shù)幾個弱位在低于104個擦寫周期內(nèi)就失效。由于在相鄰兩個字節(jié)中的任何兩位在104的擦寫周期內(nèi)失效的幾率是不可忽略的，所以ECC電路的設(shè)計時應(yīng)在兩個字節(jié)中矯正單一的位。一個ECC電路的框圖如圖2.67所示。在寫周期中，在LB=“1”的第一個字節(jié)(WDOO-07）和在LB-“O”的第二個字節(jié)（WD10 -17）在同一個地址下必須分段輸入。第一個數(shù)據(jù)被鎖存在數(shù)據(jù)輸入鎖存器中。然后，利用一個修改的漢明碼從第一、第二個輸入字節(jié)中產(chǎn)生5個奇偶位。在讀周期中，5個校驗位(SO -4)從21位數(shù)據(jù)(RDoo_07，RDio和RDEO E4)中產(chǎn)生，并且譯碼矯正讀數(shù)據(jù)。被矯正的兩個字節(jié)之一被LB轉(zhuǎn)換到輸出緩沖器。