抗輻射設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2012/4/24 19:56:07 訪問(wèn)次數(shù):1210
輻射主要指一些高速粒子(中子流、X射線、7射線等)的影響,易造成FDB047N10電路內(nèi)部的化學(xué)反應(yīng)、蛻變和電離,使電路功能下降或失效;旌霞呻娐返目馆椛湓O(shè)計(jì)措施主要為:
①首先選用采取了防護(hù)措施而抗輻射性能好的電子元器件(電阻器、電容器、晶體管、集成電路等)進(jìn)行混合集成電路組裝。
②在電路設(shè)計(jì)上可采取適當(dāng)?shù)目馆椛浯胧,如采用限流電阻防止過(guò)大的瞬時(shí)光電流或用反向二極管產(chǎn)生電流來(lái)抵消其影響,采用適當(dāng)?shù)耐笋睢⑴月窞V波和反饋有助于消除y射線、瞬時(shí)中子流輻射、電磁脈沖等造成的不良影響等。
③在封裝外殼上涂覆抗輻射性能好的防護(hù)材料。
高可靠混合集成電路應(yīng)達(dá)到的耐環(huán)境試驗(yàn)?zāi)芰σ?BR> 根據(jù)GJB 2438-2002《混合集成電路通用規(guī)范》規(guī)定和GJB548A-96《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》的要求,宇航級(jí)和高可靠級(jí)產(chǎn)品應(yīng)達(dá)到的主要耐環(huán)境試驗(yàn)?zāi)芰θ绫?.4所示。
表3.4中oci為質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的縮寫(xiě),QML為合格制造商鑒定(工藝和材料鑒定)的縮寫(xiě)。因此,在設(shè)計(jì)用于宇航環(huán)境或要求高可靠級(jí)(H級(jí))的混合集成電路時(shí),應(yīng)充分考慮各種環(huán)境因素對(duì)混合集成電路可靠性的影響,在設(shè)計(jì)上采取各種有效措施,提高產(chǎn)品的抗環(huán)境能力,才能達(dá)到《混合集成電路通用規(guī)苑》的規(guī)定要求。
輻射主要指一些高速粒子(中子流、X射線、7射線等)的影響,易造成FDB047N10電路內(nèi)部的化學(xué)反應(yīng)、蛻變和電離,使電路功能下降或失效;旌霞呻娐返目馆椛湓O(shè)計(jì)措施主要為:
①首先選用采取了防護(hù)措施而抗輻射性能好的電子元器件(電阻器、電容器、晶體管、集成電路等)進(jìn)行混合集成電路組裝。
②在電路設(shè)計(jì)上可采取適當(dāng)?shù)目馆椛浯胧,如采用限流電阻防止過(guò)大的瞬時(shí)光電流或用反向二極管產(chǎn)生電流來(lái)抵消其影響,采用適當(dāng)?shù)耐笋睢⑴月窞V波和反饋有助于消除y射線、瞬時(shí)中子流輻射、電磁脈沖等造成的不良影響等。
③在封裝外殼上涂覆抗輻射性能好的防護(hù)材料。
高可靠混合集成電路應(yīng)達(dá)到的耐環(huán)境試驗(yàn)?zāi)芰σ?BR> 根據(jù)GJB 2438-2002《混合集成電路通用規(guī)范》規(guī)定和GJB548A-96《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》的要求,宇航級(jí)和高可靠級(jí)產(chǎn)品應(yīng)達(dá)到的主要耐環(huán)境試驗(yàn)?zāi)芰θ绫?.4所示。
表3.4中oci為質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的縮寫(xiě),QML為合格制造商鑒定(工藝和材料鑒定)的縮寫(xiě)。因此,在設(shè)計(jì)用于宇航環(huán)境或要求高可靠級(jí)(H級(jí))的混合集成電路時(shí),應(yīng)充分考慮各種環(huán)境因素對(duì)混合集成電路可靠性的影響,在設(shè)計(jì)上采取各種有效措施,提高產(chǎn)品的抗環(huán)境能力,才能達(dá)到《混合集成電路通用規(guī)苑》的規(guī)定要求。
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