(1)金屬化工藝對器件FMU22U可靠性的影響分析
    影響金屬化工藝可靠性的因素主要有：
    ①W絲制造（拉絲）時一般采用NaOH電解膺蝕穿絲（模具）尖端，致使拉絲模具有Na+沾污。故在采用W絲加熱真空蒸發(fā)金屬(Al、Au、Cr、Ni)時，器件鈍化氧化層會使Na+沾污，使器件穩(wěn)定性降低，如雙極器件漏電流增加，MOS器件閾電壓漂移。
    ②在光刻窗口邊緣，金屬化條一般比其他地方薄得多，工藝控制不佳會導(dǎo)致臺階處的金屬化條斷開；或是臺階處金屬化很薄，暫尚未造成斷開，但經(jīng)過長期加電工作，此臺階處的金屬化首先形成電遷移效應(yīng)，使其在臺階處斷開，造成器件失效。對于百瓦級微波功率管，金屬化臺階有3000多個，因此必須在工藝上設(shè)法加厚臺階處的金屬化厚度。
    ③在金屬化與硅接觸處（如Al-Si接觸），由于Si向Al中的固態(tài)溶解過渡，在Si-Al接觸處會產(chǎn)生腐蝕坑，使P-N結(jié)局部短路，結(jié)特性退化。
    ④GaAs MESFET在長期工作時，會出現(xiàn)兩種情況：一種是GaAs中的鎵向金屬化條擴(kuò)散，造成接觸失效，解決方法是在金屬化層之間加一層阻擋層金屬。另一種是柵金屬與GaAs界面反應(yīng)，使界面向溝道移動，造成柵下沉，器件失效，解決方法是控制金屬化厚度，用TiWAu，TiPtAu代替單金屬(Al、Au)柵。
    ⑤金屬化條的機(jī)械劃傷多發(fā)生在片子清洗、劃片、中測、裝架等工序中。金屬化條劃傷會造成過早的電徙動效應(yīng)，使器件早期失效。
    ⑥濺射工藝由于高能離子對硅片的轟擊，會造成器件的表面缺陷，導(dǎo)致器件擊穿性能劣變，漏電流下降，hFE降低。
    表4. 14介紹了Si、GaAs器件關(guān)鍵工藝及參數(shù)控制的方法。