干法腐蝕中的損傷效應及其工藝控制要求
發(fā)布時間:2012/4/27 19:49:14 訪問次數(shù):671
物理干法腐蝕是非選擇性的腐蝕，是一種碰撞過程，屬定向刻蝕，它包括2SC3425反應離子刻蝕和化學一物理干法腐蝕，它們都是以等離子體為基礎的腐蝕方法，對制造微米級精細結構更為關鍵。反應離子刻蝕會引起器件反向漏電流增大。化學一物理干法腐蝕是選擇性的，對不同材料有較大差別。使用離子轟擊或離子轟擊加涂層會改變和損傷絕緣體和被腐蝕半導體的特性。等離子體產(chǎn)生的高能光子增大這種損傷將加重。由離子轟擊連同涂層形成物或高能光子所產(chǎn)生的損傷都可歸于：
①內部的鍵損傷。
②腐蝕物質和雜質摻雜。
③殘渣或表面薄膜生成物，這些殘渣將使器件的正向壓降增大。
為消除干法腐蝕工藝對產(chǎn)品可靠性的影響，應對離子能量進行控制。
①內部的鍵損傷。
②腐蝕物質和雜質摻雜。
③殘渣或表面薄膜生成物，這些殘渣將使器件的正向壓降增大。
為消除干法腐蝕工藝對產(chǎn)品可靠性的影響，應對離子能量進行控制。
物理干法腐蝕是非選擇性的腐蝕，是一種碰撞過程，屬定向刻蝕，它包括2SC3425反應離子刻蝕和化學一物理干法腐蝕，它們都是以等離子體為基礎的腐蝕方法，對制造微米級精細結構更為關鍵。反應離子刻蝕會引起器件反向漏電流增大�；瘜W一物理干法腐蝕是選擇性的，對不同材料有較大差別。使用離子轟擊或離子轟擊加涂層會改變和損傷絕緣體和被腐蝕半導體的特性。等離子體產(chǎn)生的高能光子增大這種損傷將加重。由離子轟擊連同涂層形成物或高能光子所產(chǎn)生的損傷都可歸于：
①內部的鍵損傷。
②腐蝕物質和雜質摻雜。
③殘渣或表面薄膜生成物，這些殘渣將使器件的正向壓降增大。
為消除干法腐蝕工藝對產(chǎn)品可靠性的影響，應對離子能量進行控制。
①內部的鍵損傷。
②腐蝕物質和雜質摻雜。
③殘渣或表面薄膜生成物，這些殘渣將使器件的正向壓降增大。
為消除干法腐蝕工藝對產(chǎn)品可靠性的影響，應對離子能量進行控制。
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