FET用于高速開關(guān)的可能性
發(fā)布時(shí)間:2012/5/28 19:19:15 訪問次數(shù):884
JFET在lOOkHz高頻下可以進(jìn)行開關(guān)動(dòng)作，沒有出IS61LV10248-10TLI現(xiàn)什么問題，由于電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，當(dāng)雙極晶體管截止時(shí)會(huì)出現(xiàn)時(shí)間滯后的問題。為了能夠高速開關(guān)，必須追加加速電容或者進(jìn)行肖特基箍位。
FET是電壓控制器件，它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性（雙極晶體管是電流控制器件），所以不會(huì)發(fā)生因基區(qū)中電子（也就是基極電流）引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。因此在開關(guān)應(yīng)用中FET的開關(guān)速度比雙極晶體管快。
設(shè)計(jì)JFET開關(guān)電路時(shí)應(yīng)該注意的問題
在雙極晶體管開關(guān)電路中，設(shè)計(jì)電路常數(shù)或電路構(gòu)成（達(dá)林頓連接等）時(shí)要考慮到器件的hFE。對(duì)于FET來說，由于沒有柵極電流流動(dòng)，所以沒有必要這樣考慮（也不怎么有必要考慮g。）。但是JFET器件具有耗盡特性，漏極電流最大不能超過IDSS，所以必須注意漏極電流的設(shè)定。
作為電路中使用的JFET，所選擇器件的漏極一源極間的耐壓應(yīng)該大于電源電壓，IDSS應(yīng)該大于FET導(dǎo)通時(shí)流過的漏極電流（電源電壓除以RD的值十從輸出端提供給外部的電流）。
還應(yīng)該注意當(dāng)輸入信號(hào)（柵極電壓）相對(duì)于源極為OV時(shí)器件導(dǎo)通，超過夾斷電壓VP時(shí)截止。當(dāng)然，輸入信號(hào)的電位必須確保柵極一溝道間的二極管通常處于截止?fàn)顟B(tài)。
Rc的作用是保證輸入端開路時(shí)FET的柵極固定在GND電平，所以取多大的值都可以。但是RG值就是電路的輸入阻抗，所以應(yīng)該注意如果Rc值過于小的話，電路的輸入阻抗也會(huì)變小。
FET是電壓控制器件，它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性（雙極晶體管是電流控制器件），所以不會(huì)發(fā)生因基區(qū)中電子（也就是基極電流）引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。因此在開關(guān)應(yīng)用中FET的開關(guān)速度比雙極晶體管快。
設(shè)計(jì)JFET開關(guān)電路時(shí)應(yīng)該注意的問題
在雙極晶體管開關(guān)電路中，設(shè)計(jì)電路常數(shù)或電路構(gòu)成（達(dá)林頓連接等）時(shí)要考慮到器件的hFE。對(duì)于FET來說，由于沒有柵極電流流動(dòng)，所以沒有必要這樣考慮（也不怎么有必要考慮g。）。但是JFET器件具有耗盡特性，漏極電流最大不能超過IDSS，所以必須注意漏極電流的設(shè)定。
作為電路中使用的JFET，所選擇器件的漏極一源極間的耐壓應(yīng)該大于電源電壓，IDSS應(yīng)該大于FET導(dǎo)通時(shí)流過的漏極電流（電源電壓除以RD的值十從輸出端提供給外部的電流）。
還應(yīng)該注意當(dāng)輸入信號(hào)（柵極電壓）相對(duì)于源極為OV時(shí)器件導(dǎo)通，超過夾斷電壓VP時(shí)截止。當(dāng)然，輸入信號(hào)的電位必須確保柵極一溝道間的二極管通常處于截止?fàn)顟B(tài)。
Rc的作用是保證輸入端開路時(shí)FET的柵極固定在GND電平，所以取多大的值都可以。但是RG值就是電路的輸入阻抗，所以應(yīng)該注意如果Rc值過于小的話，電路的輸入阻抗也會(huì)變小。
JFET在lOOkHz高頻下可以進(jìn)行開關(guān)動(dòng)作，沒有出IS61LV10248-10TLI現(xiàn)什么問題，由于電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，當(dāng)雙極晶體管截止時(shí)會(huì)出現(xiàn)時(shí)間滯后的問題。為了能夠高速開關(guān)，必須追加加速電容或者進(jìn)行肖特基箍位。
FET是電壓控制器件，它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性（雙極晶體管是電流控制器件），所以不會(huì)發(fā)生因基區(qū)中電子（也就是基極電流）引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。因此在開關(guān)應(yīng)用中FET的開關(guān)速度比雙極晶體管快。
設(shè)計(jì)JFET開關(guān)電路時(shí)應(yīng)該注意的問題
在雙極晶體管開關(guān)電路中，設(shè)計(jì)電路常數(shù)或電路構(gòu)成（達(dá)林頓連接等）時(shí)要考慮到器件的hFE。對(duì)于FET來說，由于沒有柵極電流流動(dòng)，所以沒有必要這樣考慮（也不怎么有必要考慮g。）。但是JFET器件具有耗盡特性，漏極電流最大不能超過IDSS，所以必須注意漏極電流的設(shè)定。
作為電路中使用的JFET，所選擇器件的漏極一源極間的耐壓應(yīng)該大于電源電壓，IDSS應(yīng)該大于FET導(dǎo)通時(shí)流過的漏極電流（電源電壓除以RD的值十從輸出端提供給外部的電流）。
還應(yīng)該注意當(dāng)輸入信號(hào)（柵極電壓）相對(duì)于源極為OV時(shí)器件導(dǎo)通，超過夾斷電壓VP時(shí)截止。當(dāng)然，輸入信號(hào)的電位必須確保柵極一溝道間的二極管通常處于截止?fàn)顟B(tài)。
Rc的作用是保證輸入端開路時(shí)FET的柵極固定在GND電平，所以取多大的值都可以。但是RG值就是電路的輸入阻抗，所以應(yīng)該注意如果Rc值過于小的話，電路的輸入阻抗也會(huì)變小。
FET是電壓控制器件，它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性（雙極晶體管是電流控制器件），所以不會(huì)發(fā)生因基區(qū)中電子（也就是基極電流）引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。因此在開關(guān)應(yīng)用中FET的開關(guān)速度比雙極晶體管快。
設(shè)計(jì)JFET開關(guān)電路時(shí)應(yīng)該注意的問題
在雙極晶體管開關(guān)電路中，設(shè)計(jì)電路常數(shù)或電路構(gòu)成（達(dá)林頓連接等）時(shí)要考慮到器件的hFE。對(duì)于FET來說，由于沒有柵極電流流動(dòng)，所以沒有必要這樣考慮（也不怎么有必要考慮g。）。但是JFET器件具有耗盡特性，漏極電流最大不能超過IDSS，所以必須注意漏極電流的設(shè)定。
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還應(yīng)該注意當(dāng)輸入信號(hào)（柵極電壓）相對(duì)于源極為OV時(shí)器件導(dǎo)通，超過夾斷電壓VP時(shí)截止。當(dāng)然，輸入信號(hào)的電位必須確保柵極一溝道間的二極管通常處于截止?fàn)顟B(tài)。
Rc的作用是保證輸入端開路時(shí)FET的柵極固定在GND電平，所以取多大的值都可以。但是RG值就是電路的輸入阻抗，所以應(yīng)該注意如果Rc值過于小的話，電路的輸入阻抗也會(huì)變小。
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