圖9.5是采用功率開關(guān) LPC2136FBD64用器件-N溝MOSFET 2SK612(NEC)的源極接地型開關(guān)電路。這個(gè)電路只是改換了圖9.1中的FET(漏極負(fù)載電阻的值不同)。照片9.5是給這個(gè)電路輸入lkHz、8Vp-p正弦波時(shí)的輸入輸出波形。可以看出當(dāng)輸入信號的電平超過+1. 6V時(shí)輸出波形為OV。這是因?yàn)楫?dāng)FET的柵極電位超過+1.6V時(shí)輸入信號被反相放大的緣故（認(rèn)為臨界電壓為+1.6V）。
    圖9.6是2SK612的傳輸特性。這種MOSFET是增強(qiáng)型器件，所以從曲線圖可以看出當(dāng)柵極電位相對于源極為OV時(shí)器件截止，達(dá)到+3V以上時(shí)完全導(dǎo)通(根據(jù)圖9.6，柵極一源極間電壓VGS =+3V時(shí)，ID能夠超過2A)。在圖9.5的電路中，由于漏極電流的設(shè)定值小(ID一5mA)，所以如照片9.5所示，柵極電壓在+1.6V時(shí)導(dǎo)通。
    與JFET不同，對于MOSFET來說柵極與溝道間只有絕緣層，并不存在二極管（參見圖9.7），所以即使輸入信號變?yōu)樨?fù)值時(shí)波形也不會被削掉。