P溝MOSFET的內(nèi)藏二極管
發(fā)布時間:2012/5/28 20:02:58 訪問次數(shù):1736
一般的雙擴散型功率放大用MOS-FET的結(jié)構(gòu)中，在漏極SP6200EM5-5.0/TR一源極之間內(nèi)藏著一個等效的二極管。順便指出，如圖10.10所示P溝MOSFET中二極管的接續(xù)方向是相反的。這個內(nèi)藏二極管的正向電流和反向擊穿電壓與MOS-FET的漏極電流的絕對最大額定值、漏極一源極間電壓的絕對最大額定值相同。通常就把這個二極管作為續(xù)流二極管使用。當這個二極管的電流容量不足時，再在漏極一源極間外接二極管。C4是H電橋電源的去耦電容，采用lOpLF/25V昀電解電容器（只要容量大于lpLF，耐壓在15V以上即可）。
一般的雙擴散型功率放大用MOS-FET的結(jié)構(gòu)中，在漏極SP6200EM5-5.0/TR一源極之間內(nèi)藏著一個等效的二極管。順便指出，如圖10.10所示P溝MOSFET中二極管的接續(xù)方向是相反的。這個內(nèi)藏二極管的正向電流和反向擊穿電壓與MOS-FET的漏極電流的絕對最大額定值、漏極一源極間電壓的絕對最大額定值相同。通常就把這個二極管作為續(xù)流二極管使用。當這個二極管的電流容量不足時，再在漏極一源極間外接二極管。C4是H電橋電源的去耦電容，采用lOpLF/25V昀電解電容器（只要容量大于lpLF，耐壓在15V以上即可）。
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