順便指出，照片11.7是把負(fù)載1SV314電阻RL改變?yōu)?00\Q,時(shí)(負(fù)載電流為50mA)A、B、C點(diǎn)的波形�？梢钥闯�，為了增大負(fù)載電流大必須積蓄更多的電感能量，所以C點(diǎn)的占空比增大到接近50%。因此從這個(gè)電路的開關(guān)控制方式來說，與其說是圖11.5(b)的方式還不如說更接近圖11.5(a)的方式。改變占空比的方式是一種更高級(jí)的方式，似乎更受關(guān)注。

           
  
    照片11.8是C點(diǎn)和Tri的漏極D點(diǎn)的波形。當(dāng)C點(diǎn)處于H電平(=3V)時(shí)Tr．導(dǎo)通，所以D點(diǎn)是OV。接著，由于C點(diǎn)從H電平變?yōu)長(zhǎng)電平時(shí)Tri截止，所以電感積蓄的能量放出，D點(diǎn)的電位上升到5.4V。由于Di的正向電壓降約為0.4V．所以這時(shí)的輸出電壓是5V。在照片11.8的D點(diǎn)還看到了衰減振蕩的波形。這是因?yàn)閺穆�極看到的Tri的電容與Li構(gòu)成振蕩電路，當(dāng)Di截止后殘存在Li中的電流在這個(gè)振蕩電路中作衰減振蕩的緣故（由于Li含有電阻成分，所以振蕩徐徐衰減）。