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模擬開關(guān)電路的性能

發(fā)布時間:2012/6/1 18:46:40 訪問次數(shù):766

    圖13.11是測定FET導通TPS54672PWP電阻RON的電路。輸出端接負載電阻RL,從輸入端輸入信號vi。由于RON與RL形成分壓電路,就可以從輸出信號可。的電平降低部分計算RON。但是像用該電路測定JFET模擬開關(guān)的場合,為了使流過開關(guān)的信號電流不大于IDSS,在測定時必須設定輸入信號的電平使得流過FET的電流小于IDSS(如果是采用MOSFET的電路,則沒有這個必要)。
    照片13.5是設定RL-360Q,Vi一200mVP-PlkHz)時的vi和口。的波形。由于VO是跳的1/2(lOOmVP-P),所以RON—RL。因此,這個電路的導通電阻就是RON=360Q,。設計指標中要求小于lkQ,所以充分滿足設計的要求。
    順便指出,由于gm的倒數(shù)就是RON,所以可以由RON求得g。,得到的值約為3mS(≈l/360tQ,)。可以看出這個值與2SK330的數(shù)據(jù)表提供的標準值(一4mS)基本一致。

                

    圖13.11是測定FET導通TPS54672PWP電阻RON的電路。輸出端接負載電阻RL,從輸入端輸入信號vi。由于RON與RL形成分壓電路,就可以從輸出信號可。的電平降低部分計算RON。但是像用該電路測定JFET模擬開關(guān)的場合,為了使流過開關(guān)的信號電流不大于IDSS,在測定時必須設定輸入信號的電平使得流過FET的電流小于IDSS(如果是采用MOSFET的電路,則沒有這個必要)。
    照片13.5是設定RL-360Q,Vi一200mVP-PlkHz)時的vi和口。的波形。由于VO是跳的1/2(lOOmVP-P),所以RON—RL。因此,這個電路的導通電阻就是RON=360Q,。設計指標中要求小于lkQ,所以充分滿足設計的要求。
    順便指出,由于gm的倒數(shù)就是RON,所以可以由RON求得g。,得到的值約為3mS(≈l/360tQ,)?梢钥闯鲞@個值與2SK330的數(shù)據(jù)表提供的標準值(一4mS)基本一致。

                

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