下面以NPN型管為例討論三GRM2165C1H241JA01D極管的電流分配關(guān)系，其結(jié)論同樣適用于PNP型管。
    三極管在放大條件下，即發(fā)射結(jié)加正向電壓、集電結(jié)加反向電壓的條件下，三極管內(nèi)部的載流子的傳輸將發(fā)生下列過程。
    （一）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子
    由于發(fā)射結(jié)外加正向電壓，發(fā)射結(jié)導(dǎo)通，因此發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子電子就源源不斷地通過發(fā)射結(jié)擴(kuò)散到基區(qū)，形成發(fā)射極電流IE，萁方向與電子流動方向相反，如圖2-5所示。與此同時(shí)，基區(qū)的空穴也擴(kuò)散到發(fā)射區(qū)，但由于發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)高于基區(qū)（一般高幾百倍），與電子流相比這部分空穴流可忽略不計(jì)。由發(fā)射區(qū)擴(kuò)散來的電子注入基區(qū)后，就在基區(qū)靠近發(fā)射結(jié)的邊界積累起來，在基區(qū)中形成了一定的濃度梯度，靠近發(fā)射結(jié)處濃度最高，離發(fā)射結(jié)越遠(yuǎn)濃度越低。因此，電子就要向集電的方向擴(kuò)散，在擴(kuò)散過程中又會與基區(qū)中的空穴復(fù)合，同時(shí)接在基區(qū)的電源BB的正端則不斷從基區(qū)拉走電子，好像不斷供給基區(qū)空穴。電子復(fù)合的數(shù)目與電源從基區(qū)拉走的電子數(shù)目相等，使基區(qū)的空穴濃度基本維持不變。這樣就形成了基極電流IB，所以基極電流就是電子在基區(qū)與空穴復(fù)合的電流。也就是說，注入基區(qū)的電子有一部分未到達(dá)集電結(jié)，如復(fù)合越多，則到達(dá)集電結(jié)的電子越少，對放大是不利的。所以為了減小復(fù)合，常把基區(qū)做得很�。◣孜⒚祝�，并使基區(qū)摻人雜質(zhì)的濃度很低，因而電子在擴(kuò)散過程中實(shí)際上與空穴復(fù)合的數(shù)量很少，大部分都能到達(dá)集電結(jié)。

              
   （三）集電區(qū)收集擴(kuò)散過來的電子
    由于集電結(jié)所加的是反向電壓，所以結(jié)中的電場很強(qiáng)，不過由于處于反偏狀態(tài)，集電結(jié)自身所產(chǎn)生的電流幾乎為0，但該電場對從基區(qū)中擴(kuò)散到集電結(jié)邊緣的電子（來自于發(fā)射區(qū)的電子，進(jìn)入基區(qū)后變?yōu)樯僮樱﹨s有很強(qiáng)昀吸引力，可使電子迅速漂移過集電結(jié)而被集電區(qū)所收集，形成由發(fā)射區(qū)傳輸?shù)郊妳^(qū)的較大的電子電流，形成集電極電流IC，如圖2-5所示。
    另一方面，根據(jù)反向PN結(jié)的特性，當(dāng)集電結(jié)加反向電壓時(shí)，基區(qū)中少數(shù)載流子電子和集電區(qū)中少數(shù)載流子空穴在結(jié)電場作用下形成反向漂移電流，如圖-5所示。這部分電流取決于少數(shù)載流子濃度，稱為反向飽和電流ICB()，它的數(shù)值是很小的，個(gè)電流對放大沒有貢獻(xiàn)，而且受溫度影響很大，容易使管子工作不穩(wěn)定，所以在制造過程中要盡量設(shè)法減小ICBO。