如圖3.36所示，往硅晶體中加A3P250-FGG256I入極少量的砷。此時，砷進(jìn)行原子結(jié)合需要5個電子，與之相比，硅只需4個，從而多出1個電子，此屯子在晶體中游動。這個電子因沒有對手與之結(jié)合而變得容易移動，微小的能量就可使其成為自由電子。此類存在多余自由電子的半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體，如圖3.37所示。

    制作P型半導(dǎo)體
    在硅晶體中加入銦等3價原子時，會發(fā)生與N型半導(dǎo)體相對稱的現(xiàn)象。如圖3.38所示，因為銦的價電子為3，與硅聯(lián)手時缺少1個電子，所以此處會拉攏附近的價電子，從而產(chǎn)生空穴。此類擁有空穴的半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體，如圖3.39所示。