將磷(P)、銻(Sb)、砷(As)等5價原子的A1104EU-T雜質(zhì)少量地?fù)竭M(jìn)鍺或硅的純晶體中可以形成N型半導(dǎo)體，此類提供電子的雜質(zhì)稱為施主雜質(zhì)。另一方面，摻A3價原子硼(B)、鎵(Ga)、銦(In)等則可形成P型半導(dǎo)體，此類提供空穴的雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)。在其中擁有負(fù)(nega-tive)電荷的自由電子及扮演正(positive)電荷角色的空穴擔(dān)負(fù)著傳導(dǎo)電流的作用。
    現(xiàn)在如圖3.40所示，將晶體的一半做成P型，另一半做成N型。在晶體中存在P型與N型的結(jié)合部分因此稱為PN結(jié)）。P型部分擁有許多空穴，而N型部分擁有許多自由電子。因此將PN結(jié)合起來則一部分的空穴與自由電子越過P區(qū)域與N區(qū)域的邊界擴(kuò)散至對方的領(lǐng)地，混合而達(dá)到平衡狀態(tài)。因此，我們將移動至對方領(lǐng)域的載流子稱為注入載流子。

                  
    如圖3.41所示，對此元器件向使P型部分成為負(fù)的方向加載電壓會怎樣呢？此時N型一邊的電子被吸引到正電極，而P型一邊的空穴則被吸引到負(fù)電極，因此，在中間部位就形成了如同厚厚的墻壁一樣的狀態(tài)，在晶體的中間部位斷絕了電子的補(bǔ)充（圖3.42）。

    此中間部分的厚壁被稱為耗盡層。在此狀態(tài)下，因不能使電流流通，所以稱此種電壓加載為反向電壓。