調(diào)試再流焊的四個(gè)階段溫度

發(fā)布時(shí)間:2012/8/9 19:31:10 訪問次數(shù):1352

    1)預(yù)熱階段
    預(yù)熱的目的是把室溫下的PCB盡快加熱，以達(dá)到MURB2020CT-1PBF下一階段的特定目標(biāo)，但升溫速率要控制在適當(dāng)范圍以內(nèi)。如果溫升過快，會(huì)產(chǎn)生熱沖擊，電路板和元件都可能受損；如果溫升過慢，則溶劑揮發(fā)不充分，影響焊接質(zhì)量。由于溫升較快，在溫區(qū)的后段SMB內(nèi)各元器件的溫差較大。為防止熱沖擊對(duì)元件的損傷，一般規(guī)定最大溫升為4℃／s。通常上升速率設(shè)定為1～3℃／s。典型的溫升速率為2℃／s。
    2)保溫階段
    保溫階段是指溫度從120～150℃升至焊膏熔點(diǎn)的階段。保溫的主要目的是使SMB內(nèi)各元件的溫度趨于穩(wěn)定，盡量減小溫差。在這個(gè)區(qū)域里給予足夠的時(shí)間使較大元件的溫度趕上較小元件，并保證焊膏中的助焊劑得到充分揮發(fā)。保溫階段結(jié)束，焊盤、焊料球及元件引腳上的氧化物被除去，整個(gè)電路板的溫度達(dá)到平衡。應(yīng)注意的是，SMB上所有元件在這一段結(jié)束時(shí)應(yīng)具有相同的溫度，否則進(jìn)入到回流段將會(huì)因各部分溫度不均產(chǎn)生各種焊接不良現(xiàn)象。
   3)回流階段
   在回流階段加熱器的溫度設(shè)置得最高，使組件的溫度快速上升至峰值溫度�；亓髑€的峰值溫度通常是由焊錫的熔點(diǎn)、組裝基板和元件的耐熱溫度決定的。在回流階段，焊接峰值溫度視所用焊膏的不同而不同，一般推薦比焊膏的熔點(diǎn)高20～40℃。對(duì)于熔點(diǎn)為183℃的63Sn/37Pb焊膏和熔點(diǎn)為179℃的Sn62/Pb3 6/Ag2焊膏，峰值溫度一般為210～230℃，有鉛焊典型的峰值溫度范圍是205～230℃，無鉛焊典型的峰值溫度范圍是240—280℃。峰值溫度過低就容易產(chǎn)生冷接點(diǎn)及潤濕不夠，峰值溫度過高則環(huán)氧樹脂基板和塑膠部分易發(fā)生焦化和脫層。另外，超額的共界金屬化合物將形成，并影響焊接點(diǎn)的焊接強(qiáng)度。
    再流時(shí)間不要過長，以防對(duì)SMB造成不良影響。同時(shí)，由于共界金屬化合物形成率、焊錫內(nèi)鹽基金屬的分解率等因素，共界金屬化合物的產(chǎn)生及濾出不僅與溫度成正比，且與超過焊錫熔點(diǎn)的時(shí)間成正比。為減少共界金屬化合物的產(chǎn)生及濾出，超過熔點(diǎn)以上的時(shí)間必須減少，一般設(shè)定在45～90s之間。從熔點(diǎn)溫度快速上升到峰值溫度，同時(shí)考慮元件承受熱應(yīng)力因素，溫升率須介于2.5～3.5℃／s之間，且最大改變率不可超過4℃／s。
   4)冷卻階段
   高于焊錫熔點(diǎn)以上的慢冷卻率，將導(dǎo)致過量共界金屬化合物的產(chǎn)生，以及在焊接點(diǎn)處易發(fā)生大的晶粒結(jié)構(gòu)，使焊接點(diǎn)強(qiáng)度變低，此現(xiàn)象一般發(fā)生在熔點(diǎn)溫度和比熔點(diǎn)溫度低一點(diǎn)的溫度范圍內(nèi)。快速冷卻將導(dǎo)致元件和基板間產(chǎn)生太高的溫度梯度，產(chǎn)生熱膨脹的不匹配，導(dǎo)致焊接點(diǎn)與焊盤的分裂及基板的變形。一般情況下，可允許的最大冷卻率是由元件對(duì)熱沖擊的承受能力決定的。綜合以上因素，冷卻區(qū)降溫速率一般在4℃／s左右，冷卻至75℃即可。

    1)預(yù)熱階段
    預(yù)熱的目的是把室溫下的PCB盡快加熱，以達(dá)到MURB2020CT-1PBF下一階段的特定目標(biāo)，但升溫速率要控制在適當(dāng)范圍以內(nèi)。如果溫升過快，會(huì)產(chǎn)生熱沖擊，電路板和元件都可能受損；如果溫升過慢，則溶劑揮發(fā)不充分，影響焊接質(zhì)量。由于溫升較快，在溫區(qū)的后段SMB內(nèi)各元器件的溫差較大。為防止熱沖擊對(duì)元件的損傷，一般規(guī)定最大溫升為4℃／s。通常上升速率設(shè)定為1～3℃／s。典型的溫升速率為2℃／s。
    2)保溫階段
    保溫階段是指溫度從120～150℃升至焊膏熔點(diǎn)的階段。保溫的主要目的是使SMB內(nèi)各元件的溫度趨于穩(wěn)定，盡量減小溫差。在這個(gè)區(qū)域里給予足夠的時(shí)間使較大元件的溫度趕上較小元件，并保證焊膏中的助焊劑得到充分揮發(fā)。保溫階段結(jié)束，焊盤、焊料球及元件引腳上的氧化物被除去，整個(gè)電路板的溫度達(dá)到平衡。應(yīng)注意的是，SMB上所有元件在這一段結(jié)束時(shí)應(yīng)具有相同的溫度，否則進(jìn)入到回流段將會(huì)因各部分溫度不均產(chǎn)生各種焊接不良現(xiàn)象。
   3)回流階段
   在回流階段加熱器的溫度設(shè)置得最高，使組件的溫度快速上升至峰值溫度�；亓髑€的峰值溫度通常是由焊錫的熔點(diǎn)、組裝基板和元件的耐熱溫度決定的。在回流階段，焊接峰值溫度視所用焊膏的不同而不同，一般推薦比焊膏的熔點(diǎn)高20～40℃。對(duì)于熔點(diǎn)為183℃的63Sn/37Pb焊膏和熔點(diǎn)為179℃的Sn62/Pb3 6/Ag2焊膏，峰值溫度一般為210～230℃，有鉛焊典型的峰值溫度范圍是205～230℃，無鉛焊典型的峰值溫度范圍是240—280℃。峰值溫度過低就容易產(chǎn)生冷接點(diǎn)及潤濕不夠，峰值溫度過高則環(huán)氧樹脂基板和塑膠部分易發(fā)生焦化和脫層。另外，超額的共界金屬化合物將形成，并影響焊接點(diǎn)的焊接強(qiáng)度。
    再流時(shí)間不要過長，以防對(duì)SMB造成不良影響。同時(shí)，由于共界金屬化合物形成率、焊錫內(nèi)鹽基金屬的分解率等因素，共界金屬化合物的產(chǎn)生及濾出不僅與溫度成正比，且與超過焊錫熔點(diǎn)的時(shí)間成正比。為減少共界金屬化合物的產(chǎn)生及濾出，超過熔點(diǎn)以上的時(shí)間必須減少，一般設(shè)定在45～90s之間。從熔點(diǎn)溫度快速上升到峰值溫度，同時(shí)考慮元件承受熱應(yīng)力因素，溫升率須介于2.5～3.5℃／s之間，且最大改變率不可超過4℃／s。
   4)冷卻階段
   高于焊錫熔點(diǎn)以上的慢冷卻率，將導(dǎo)致過量共界金屬化合物的產(chǎn)生，以及在焊接點(diǎn)處易發(fā)生大的晶粒結(jié)構(gòu)，使焊接點(diǎn)強(qiáng)度變低，此現(xiàn)象一般發(fā)生在熔點(diǎn)溫度和比熔點(diǎn)溫度低一點(diǎn)的溫度范圍內(nèi)�？焖倮鋮s將導(dǎo)致元件和基板間產(chǎn)生太高的溫度梯度，產(chǎn)生熱膨脹的不匹配，導(dǎo)致焊接點(diǎn)與焊盤的分裂及基板的變形。一般情況下，可允許的最大冷卻率是由元件對(duì)熱沖擊的承受能力決定的。綜合以上因素，冷卻區(qū)降溫速率一般在4℃／s左右，冷卻至75℃即可。

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相關(guān)IC型號(hào): MURB2020CT-1PBF; MURB1020CT; MURB1020CT-1; MURB1520; MURB1620; MURB1620CT; MURB1620CTG; MURB1620CTR; MURB1620CTRT4; MURB1620CTRT4G; MURB1620CTT4

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