SRC8001在線測(cè)試儀的主要技術(shù)參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2012/8/11 19:54:33 訪問(wèn)次數(shù):973
(1)測(cè)試點(diǎn)數(shù)。
標(biāo)準(zhǔn)配置為320點(diǎn)，可擴(kuò)充12101A471JAT2A到2496點(diǎn)，開(kāi)關(guān)板以64點(diǎn)／塊為單位增設(shè)開(kāi)／短路測(cè)試。
測(cè)試方法：分組掃描。
編程方法：自動(dòng)學(xué)習(xí)。
測(cè)試閾值：5～80Q可編程。
測(cè)試電流：≤lOmA。
測(cè)試速度：1024點(diǎn)<ls（全開(kāi)路）。
(2)性能參數(shù)。
測(cè)試電壓：-10～+5V之間連續(xù)可調(diào)（繼電器開(kāi)關(guān)板為-10～+10V）。
測(cè)試電流：0.1 !.tA～10mA可編程（CMOS開(kāi)關(guān)板為O.ltlA～20mA）。
測(cè)試速度：平均每步用時(shí)lOms。
電阻測(cè)試：O.1Q～40MQ。被測(cè)電阻小于1Q時(shí)，分辨精度可達(dá)lOmQ，被測(cè)電阻大于1Q時(shí)，測(cè)量誤差為±3%。
電容測(cè)試測(cè)試范圍：SpF—40mF，測(cè)量誤差為±5%。
電感：lptH～250H，測(cè)量誤差為±5%。
跳線測(cè)試閾值：1～100Q可調(diào)，測(cè)試電壓為2.5V。
PN結(jié)正向?qū)ㄌ匦裕?～5V。
對(duì)二極管可測(cè)試的項(xiàng)目包括PN結(jié)曲線測(cè)試、正反向壓降測(cè)試。
對(duì)三極管可測(cè)試的項(xiàng)目包括通斷測(cè)試、極性測(cè)試bce三針測(cè)試、所卣測(cè)量。
電壓RELAY開(kāi)關(guān)板最高200V（選配），對(duì)于CMOS開(kāi)關(guān)板最高10V。
穩(wěn)壓管RELAY開(kāi)關(guān)板≤18V（選配），CMOS開(kāi)關(guān)板為0～12V。
頻率測(cè)試：O.1Hz～50MHz（選件），測(cè)量誤差為±O.l%。
數(shù)字晶體管：250mv～lOV，激勵(lì)電流lOmA。
普通晶體管pfrr: i～iooo，≤lOmA驅(qū)動(dòng)電流，測(cè)量誤差為±5%。
光電耦合器：l～lOmA驅(qū)動(dòng)，0.01～2.5V變化量。
多引腳器件：光電耦合器、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管、電位器、繼電器、接插件等。
驅(qū)動(dòng)電流：O～lOmA。
驅(qū)動(dòng)電壓：O～lOV。
極性電容三針測(cè)量：lyF～40mF（金屬外殼）。
對(duì)IC可測(cè)試的項(xiàng)目包括引腳PN結(jié)掃描、電壓感應(yīng)測(cè)試、三針電壓掃描。
自動(dòng)隔離方法：自動(dòng)／人工設(shè)置，隔離點(diǎn)數(shù)：最多8點(diǎn)／步。
隔離電流：O～lOmA CMOS殲關(guān)板lOmA。
自動(dòng)放電功能測(cè)試前，雙針或全板放電。CMOS放電電壓<15V，繼電器放電電壓<220V。
氣動(dòng)壓床含光電保護(hù)功能，探針接觸情況自動(dòng)檢查能力。
可測(cè)PCB最大尺寸：500mmx390mmxlOOmm。
最大行程：150mm。
最大壓力：3925N (0.5MPa)。
(3)安裝條件。
①電源：AC 220V(±10%)，50Hz±5%。
②接地：靜電接地。
③環(huán)境：溫度10～35℃。
④氣源：0.4～0.6MPa。
⑤濕度：30%RH～80%RH。
⑥外形尺寸：lOOOmmx800mmx1600mm。
標(biāo)準(zhǔn)配置為320點(diǎn)，可擴(kuò)充12101A471JAT2A到2496點(diǎn)，開(kāi)關(guān)板以64點(diǎn)／塊為單位增設(shè)開(kāi)／短路測(cè)試。
測(cè)試方法：分組掃描。
編程方法：自動(dòng)學(xué)習(xí)。
測(cè)試閾值：5～80Q可編程。
測(cè)試電流：≤lOmA。
測(cè)試速度：1024點(diǎn)<ls（全開(kāi)路）。
(2)性能參數(shù)。
測(cè)試電壓：-10～+5V之間連續(xù)可調(diào)（繼電器開(kāi)關(guān)板為-10～+10V）。
測(cè)試電流：0.1 !.tA～10mA可編程（CMOS開(kāi)關(guān)板為O.ltlA～20mA）。
測(cè)試速度：平均每步用時(shí)lOms。
電阻測(cè)試：O.1Q～40MQ。被測(cè)電阻小于1Q時(shí)，分辨精度可達(dá)lOmQ，被測(cè)電阻大于1Q時(shí)，測(cè)量誤差為±3%。
電容測(cè)試測(cè)試范圍：SpF—40mF，測(cè)量誤差為±5%。
電感：lptH～250H，測(cè)量誤差為±5%。
跳線測(cè)試閾值：1～100Q可調(diào)，測(cè)試電壓為2.5V。
PN結(jié)正向?qū)ㄌ匦裕?～5V。
對(duì)二極管可測(cè)試的項(xiàng)目包括PN結(jié)曲線測(cè)試、正反向壓降測(cè)試。
對(duì)三極管可測(cè)試的項(xiàng)目包括通斷測(cè)試、極性測(cè)試bce三針測(cè)試、所卣測(cè)量。
電壓RELAY開(kāi)關(guān)板最高200V（選配），對(duì)于CMOS開(kāi)關(guān)板最高10V。
穩(wěn)壓管RELAY開(kāi)關(guān)板≤18V（選配），CMOS開(kāi)關(guān)板為0～12V。
頻率測(cè)試：O.1Hz～50MHz（選件），測(cè)量誤差為±O.l%。
數(shù)字晶體管：250mv～lOV，激勵(lì)電流lOmA。
普通晶體管pfrr: i～iooo，≤lOmA驅(qū)動(dòng)電流，測(cè)量誤差為±5%。
光電耦合器：l～lOmA驅(qū)動(dòng)，0.01～2.5V變化量。
多引腳器件：光電耦合器、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管、電位器、繼電器、接插件等。
驅(qū)動(dòng)電流：O～lOmA。
驅(qū)動(dòng)電壓：O～lOV。
極性電容三針測(cè)量：lyF～40mF（金屬外殼）。
對(duì)IC可測(cè)試的項(xiàng)目包括引腳PN結(jié)掃描、電壓感應(yīng)測(cè)試、三針電壓掃描。
自動(dòng)隔離方法：自動(dòng)／人工設(shè)置，隔離點(diǎn)數(shù)：最多8點(diǎn)／步。
隔離電流：O～lOmA CMOS殲關(guān)板lOmA。
自動(dòng)放電功能測(cè)試前，雙針或全板放電。CMOS放電電壓<15V，繼電器放電電壓<220V。
氣動(dòng)壓床含光電保護(hù)功能，探針接觸情況自動(dòng)檢查能力。
可測(cè)PCB最大尺寸：500mmx390mmxlOOmm。
最大行程：150mm。
最大壓力：3925N (0.5MPa)。
(3)安裝條件。
①電源：AC 220V(±10%)，50Hz±5%。
②接地：靜電接地。
③環(huán)境：溫度10～35℃。
④氣源：0.4～0.6MPa。
⑤濕度：30%RH～80%RH。
⑥外形尺寸：lOOOmmx800mmx1600mm。
(1)測(cè)試點(diǎn)數(shù)。
標(biāo)準(zhǔn)配置為320點(diǎn)，可擴(kuò)充12101A471JAT2A到2496點(diǎn)，開(kāi)關(guān)板以64點(diǎn)／塊為單位增設(shè)開(kāi)／短路測(cè)試。
測(cè)試方法：分組掃描。
編程方法：自動(dòng)學(xué)習(xí)。
測(cè)試閾值：5～80Q可編程。
測(cè)試電流：≤lOmA。
測(cè)試速度：1024點(diǎn)<ls（全開(kāi)路）。
(2)性能參數(shù)。
測(cè)試電壓：-10～+5V之間連續(xù)可調(diào)（繼電器開(kāi)關(guān)板為-10～+10V）。
測(cè)試電流：0.1 !.tA～10mA可編程（CMOS開(kāi)關(guān)板為O.ltlA～20mA）。
測(cè)試速度：平均每步用時(shí)lOms。
電阻測(cè)試：O.1Q～40MQ。被測(cè)電阻小于1Q時(shí)，分辨精度可達(dá)lOmQ，被測(cè)電阻大于1Q時(shí)，測(cè)量誤差為±3%。
電容測(cè)試測(cè)試范圍：SpF—40mF，測(cè)量誤差為±5%。
電感：lptH～250H，測(cè)量誤差為±5%。
跳線測(cè)試閾值：1～100Q可調(diào)，測(cè)試電壓為2.5V。
PN結(jié)正向?qū)ㄌ匦裕?～5V。
對(duì)二極管可測(cè)試的項(xiàng)目包括PN結(jié)曲線測(cè)試、正反向壓降測(cè)試。
對(duì)三極管可測(cè)試的項(xiàng)目包括通斷測(cè)試、極性測(cè)試bce三針測(cè)試、所卣測(cè)量。
電壓RELAY開(kāi)關(guān)板最高200V（選配），對(duì)于CMOS開(kāi)關(guān)板最高10V。
穩(wěn)壓管RELAY開(kāi)關(guān)板≤18V（選配），CMOS開(kāi)關(guān)板為0～12V。
頻率測(cè)試：O.1Hz～50MHz（選件），測(cè)量誤差為±O.l%。
數(shù)字晶體管：250mv～lOV，激勵(lì)電流lOmA。
普通晶體管pfrr: i～iooo，≤lOmA驅(qū)動(dòng)電流，測(cè)量誤差為±5%。
光電耦合器：l～lOmA驅(qū)動(dòng)，0.01～2.5V變化量。
多引腳器件：光電耦合器、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管、電位器、繼電器、接插件等。
驅(qū)動(dòng)電流：O～lOmA。
驅(qū)動(dòng)電壓：O～lOV。
極性電容三針測(cè)量：lyF～40mF（金屬外殼）。
對(duì)IC可測(cè)試的項(xiàng)目包括引腳PN結(jié)掃描、電壓感應(yīng)測(cè)試、三針電壓掃描。
自動(dòng)隔離方法：自動(dòng)／人工設(shè)置，隔離點(diǎn)數(shù)：最多8點(diǎn)／步。
隔離電流：O～lOmA CMOS殲關(guān)板lOmA。
自動(dòng)放電功能測(cè)試前，雙針或全板放電。CMOS放電電壓<15V，繼電器放電電壓<220V。
氣動(dòng)壓床含光電保護(hù)功能，探針接觸情況自動(dòng)檢查能力。
可測(cè)PCB最大尺寸：500mmx390mmxlOOmm。
最大行程：150mm。
最大壓力：3925N (0.5MPa)。
(3)安裝條件。
①電源：AC 220V(±10%)，50Hz±5%。
②接地：靜電接地。
③環(huán)境：溫度10～35℃。
④氣源：0.4～0.6MPa。
⑤濕度：30%RH～80%RH。
⑥外形尺寸：lOOOmmx800mmx1600mm。
標(biāo)準(zhǔn)配置為320點(diǎn)，可擴(kuò)充12101A471JAT2A到2496點(diǎn)，開(kāi)關(guān)板以64點(diǎn)／塊為單位增設(shè)開(kāi)／短路測(cè)試。
測(cè)試方法：分組掃描。
編程方法：自動(dòng)學(xué)習(xí)。
測(cè)試閾值：5～80Q可編程。
測(cè)試電流：≤lOmA。
測(cè)試速度：1024點(diǎn)<ls（全開(kāi)路）。
(2)性能參數(shù)。
測(cè)試電壓：-10～+5V之間連續(xù)可調(diào)（繼電器開(kāi)關(guān)板為-10～+10V）。
測(cè)試電流：0.1 !.tA～10mA可編程（CMOS開(kāi)關(guān)板為O.ltlA～20mA）。
測(cè)試速度：平均每步用時(shí)lOms。
電阻測(cè)試：O.1Q～40MQ。被測(cè)電阻小于1Q時(shí)，分辨精度可達(dá)lOmQ，被測(cè)電阻大于1Q時(shí)，測(cè)量誤差為±3%。
電容測(cè)試測(cè)試范圍：SpF—40mF，測(cè)量誤差為±5%。
電感：lptH～250H，測(cè)量誤差為±5%。
跳線測(cè)試閾值：1～100Q可調(diào)，測(cè)試電壓為2.5V。
PN結(jié)正向?qū)ㄌ匦裕?～5V。
對(duì)二極管可測(cè)試的項(xiàng)目包括PN結(jié)曲線測(cè)試、正反向壓降測(cè)試。
對(duì)三極管可測(cè)試的項(xiàng)目包括通斷測(cè)試、極性測(cè)試bce三針測(cè)試、所卣測(cè)量。
電壓RELAY開(kāi)關(guān)板最高200V（選配），對(duì)于CMOS開(kāi)關(guān)板最高10V。
穩(wěn)壓管RELAY開(kāi)關(guān)板≤18V（選配），CMOS開(kāi)關(guān)板為0～12V。
頻率測(cè)試：O.1Hz～50MHz（選件），測(cè)量誤差為±O.l%。
數(shù)字晶體管：250mv～lOV，激勵(lì)電流lOmA。
普通晶體管pfrr: i～iooo，≤lOmA驅(qū)動(dòng)電流，測(cè)量誤差為±5%。
光電耦合器：l～lOmA驅(qū)動(dòng)，0.01～2.5V變化量。
多引腳器件：光電耦合器、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管、電位器、繼電器、接插件等。
驅(qū)動(dòng)電流：O～lOmA。
驅(qū)動(dòng)電壓：O～lOV。
極性電容三針測(cè)量：lyF～40mF（金屬外殼）。
對(duì)IC可測(cè)試的項(xiàng)目包括引腳PN結(jié)掃描、電壓感應(yīng)測(cè)試、三針電壓掃描。
自動(dòng)隔離方法：自動(dòng)／人工設(shè)置，隔離點(diǎn)數(shù)：最多8點(diǎn)／步。
隔離電流：O～lOmA CMOS殲關(guān)板lOmA。
自動(dòng)放電功能測(cè)試前，雙針或全板放電。CMOS放電電壓<15V，繼電器放電電壓<220V。
氣動(dòng)壓床含光電保護(hù)功能，探針接觸情況自動(dòng)檢查能力。
可測(cè)PCB最大尺寸：500mmx390mmxlOOmm。
最大行程：150mm。
最大壓力：3925N (0.5MPa)。
(3)安裝條件。
①電源：AC 220V(±10%)，50Hz±5%。
②接地：靜電接地。
③環(huán)境：溫度10～35℃。
④氣源：0.4～0.6MPa。
⑤濕度：30%RH～80%RH。
⑥外形尺寸：lOOOmmx800mmx1600mm。
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