下面設(shè)定工作點。與雙極晶LM2575T-12體管相同，F(xiàn)ET的漏極電流ID和柵極一漏極間電壓VGD等值對于gM、噪聲特性、頻率特性等都有重要的影響。
    圖3.5示出了2SK184的各種特性�？梢钥闯鲇捎贗D、VGD的不同，各種特性有很大的差異。這種情況與雙極晶體管相同。
    但是這里設(shè)計的電路對于噪聲、頻率特性等沒有作具體的規(guī)定，所以并不介意工作點的設(shè)定。
    這就是說，漏極電流，D是幾毫安都可以。2SK184是JFET器件，ID最大不超過飽和電流IDSS。所以只要小于IDSS，不論幾毫安都可以。

             
   這里使用的2SK184GR的IDSS是2.6～6.5mA，ID處于IDSS范圍的下限2.6mA以下。為方便起見，取ID=lmA。
    應(yīng)該注意當設(shè)定值太接近IDSS時，信號輸入后由于IDSS的關(guān)系，ID電流的增加無法超過這個值，輸出波彤就會被限幅。
    順便指出，這種小信號用FET的漏極電流一般在0.ImA至數(shù)毫安的范圍。
    必須注意的是，作為工作點要決定的不是V GS而是ID。這是因為如圖3.5(a)、(b)所示，F(xiàn)ET的重要特性不是因V。；。而是隨ID的值變化的。
    VGS的值在設(shè)計柵偏壓電路時是必要的。不過如果設(shè)定好ID值，從傳輸特性曲線中必然能夠求得VGS。