如圖4.5所示容許損耗隨環(huán)TIL117M境溫度有很大的變化。因此必須確認所設(shè)計的電路能夠使用的環(huán)境溫度范圍。從圖4.5可以看出，該電路能夠工作的最高環(huán)境溫度為120℃。

   （設(shè)計好電路后，必須確認這時的漏極損耗——由容許損耗確認環(huán)境溫度到多高時器件仍能夠工作。該設(shè)計電路工作到120℃。是安全的）
    設(shè)計電路中與最太額定值對容許損耗PD的限制相比，容許損耗對環(huán)境溫度關(guān)系曲線的邊界值更重要。
    FET的數(shù)據(jù)表會提供這種容許損耗對環(huán)境溫度的關(guān)系曲線，不過應(yīng)該注意一部分功率MOSFET的數(shù)據(jù)是以裝有散熱器為前提的。
    源極跟隨器從電路特性來說，經(jīng)常使用在大電流的情況下。因此必須注意FET和電阻的發(fā)熱問題。