簡(jiǎn)單的溫度補(bǔ)償電路
發(fā)布時(shí)間:2012/8/18 12:52:12 訪問(wèn)次數(shù):1598
如圖5.6所示，這是與輸出級(jí)使TEA1521P用雙極晶體管的功率放大器完全相同的偏置電路（當(dāng)然也必須使輸出級(jí)的MOSFET與偏置電路的晶體管Tri熱耦合）。但是，這個(gè)電路中MOSFET的VG。的溫度變化是由晶體管VBE的溫度變化補(bǔ)償?shù)模允遣辉趺礈?zhǔn)確的溫度補(bǔ)償。
這個(gè)電路的工作是由如下的循環(huán)過(guò)程進(jìn)行控制的。
①輸出級(jí)溫度上升；
②Tri的溫度網(wǎng)樣也上升，VBE變�。ňw管的VBE隨溫度上升而減小，溫度系數(shù)約為-2.5mV／℃）；
③MOSFET的柵極一柵極間電壓VB減小；
④由于MOSFET的VGS變小，所以漏極電流減小；
⑤器件的溫度下降。
如圖5.6所示，這是與輸出級(jí)使TEA1521P用雙極晶體管的功率放大器完全相同的偏置電路（當(dāng)然也必須使輸出級(jí)的MOSFET與偏置電路的晶體管Tri熱耦合）。但是，這個(gè)電路中MOSFET的VG。的溫度變化是由晶體管VBE的溫度變化補(bǔ)償?shù)模允遣辉趺礈?zhǔn)確的溫度補(bǔ)償。
這個(gè)電路的工作是由如下的循環(huán)過(guò)程進(jìn)行控制的。
①輸出級(jí)溫度上升；
②Tri的溫度網(wǎng)樣也上升，VBE變小（晶體管的VBE隨溫度上升而減小，溫度系數(shù)約為-2.5mV／℃）；
③MOSFET的柵極一柵極間電壓VB減��；
④由于MOSFET的VGS變小，所以漏極電流減�。�
⑤器件的溫度下降。
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