圖9.11是采用N溝MOSFET的源極跟SN74HCT04N隨器型開關電路。這個電路的構成中只是換了圖9.9電路中的FET（漏極負載電阻RD的值不同）。
    照片9.9是給圖9.11的電路輸入1MHz、OV/+5V方波時的輸入輸出波形。這個電路也與采用JFET的電路相同，輸入輸出的相位同相，其波形表現(xiàn)出高速動作的源極跟隨器電路的性質。        

    關于輸入輸出信號電平，當ViOV時VO=OV，而當v1=+5V時VO=+3.4V(比+5V低1.6V)。這也是由于MOSFET所具有的增強特性。
    這個電路的基礎也是源極跟隨器，所以工作時源極電位保持一定的V GS值并追隨柵極電位。由于N溝MOSFET具有增強特性，所以如果流過漏極電流，那么源極電位比柵極電位低。所以如照片9.9所示，當vi=+5V時源極電位比柵極電位低1.6V(指示的電壓)。
    從圖9.6的傳輸特性可以看出，對于2SK612來說，當ID=3.4mA(一3.4V／lk0,)時正好Vcs=1.6V(照片9.7的N溝JFET的開關波形也是1.6V，這只是巧合)。當VO=OV時VGS=OV，ID為零，就是說器件處于截止狀態(tài)，所以VO=OV。所以在源極跟隨器型開關電路中，如果使用的是增強型MOSFET，只要把VBE置換為VGS，就能夠方便地與雙極晶體管置換。