圖5.14是低頻范圍電壓TPIC6B273N增益的頻率特性（8Q負(fù)載）。電壓增益如計(jì)算的那樣約為20dB。低頻截止頻率fc。約1.4Hz，與由C1和R2構(gòu)成的高通濾波器的截止頻率(1.6Hz)基本相等。（電路的電壓增益約為20dB，低頻截止頻率fCL約1.4Hz。這個(gè)高通特性是由Cl和R2構(gòu)成的濾波器的特性）
    圖5.15是高頻范圍電壓增益的頻率特性（8Q負(fù)載）。高頻截止頻率fCH約為186kHz，與由C2、R4構(gòu)成的低通濾波器的截止頻率(180kHz)基本相等。

   （高頻截止頻率fCH約為186kHz，是由C2、R4形成的低通濾波器的特性）
    圖5.16是輸入端短路時(shí)測(cè)得的輸出端噪聲頻譜圖（8Q負(fù)載）。由于MOS-FET怍為電壓增益為OdB的源極跟隨器使用，可以認(rèn)為MOSFET幾乎不輸出噪聲。這就是說這個(gè)噪聲特性就是電壓放大級(jí)使用的OP放大器的特性。總之，作為功率放大器噪聲電平有些高。