光耦合器的傳輸電路
發(fā)布時(shí)間:2012/8/21 20:34:17 訪問(wèn)次數(shù):2288
如圖8.27所示,光耦合器SN74HCT273N是由LED(發(fā)光二極管)與光敏二極管(接收光并將光轉(zhuǎn)換為電流的二極管)以及晶體管組合起來(lái)的放大/開(kāi)關(guān)器件(也有用光敏晶體管(利用光進(jìn)行接通/斷開(kāi)的晶體管)替代光敏二極管和晶體管的器件)。
光耦合器是通過(guò)電流流過(guò)LED使之發(fā)光,再用光敏二極管接收這個(gè)光并轉(zhuǎn)換為基極電流使晶體管工作的器件。它可以成為晶體管開(kāi)關(guān)電路的一部分。在這里簡(jiǎn)單作以介紹。
由于晶體管的基極電流是由光轉(zhuǎn)換提供的,所以光耦合器的最大特點(diǎn)是LED部分與晶體管部分能夠?qū)崿F(xiàn)電學(xué)分離。這樣一來(lái),在發(fā)光的LED與受光的晶體管之間不論存在多么大的電位差都能夠?qū)崿F(xiàn)信號(hào)的交接。因此光耦合器應(yīng)用于電位差不同的電路間的信號(hào)交接、數(shù)字電路與模擬電路的GND-地的分離等場(chǎng)合。
表征光耦合器的重要特性是電流轉(zhuǎn)移比CTR(也叫做轉(zhuǎn)移效率)。CTR是流過(guò)輸入端LED的電流IF與相應(yīng)的輸出端晶體管的集電極電流I。之比/rF/IC,用“%”表示。一般的光耦合器中CTR的值為百分之幾至百分之幾百。CTR相當(dāng)于是光耦合器的hFE,所以在電路設(shè)計(jì)中必須充分予以考慮。
圖8.28是使用高速光耦合器6N136(HP)的CMOS數(shù)字電路間的連接電路。由于數(shù)字電路中間用光耦合器連接,所以可以把電路間的GND線分離,從而截?cái)郍ND線的電位差和噪聲。
如圖8.27所示,光耦合器SN74HCT273N是由LED(發(fā)光二極管)與光敏二極管(接收光并將光轉(zhuǎn)換為電流的二極管)以及晶體管組合起來(lái)的放大/開(kāi)關(guān)器件(也有用光敏晶體管(利用光進(jìn)行接通/斷開(kāi)的晶體管)替代光敏二極管和晶體管的器件)。
光耦合器是通過(guò)電流流過(guò)LED使之發(fā)光,再用光敏二極管接收這個(gè)光并轉(zhuǎn)換為基極電流使晶體管工作的器件。它可以成為晶體管開(kāi)關(guān)電路的一部分。在這里簡(jiǎn)單作以介紹。
由于晶體管的基極電流是由光轉(zhuǎn)換提供的,所以光耦合器的最大特點(diǎn)是LED部分與晶體管部分能夠?qū)崿F(xiàn)電學(xué)分離。這樣一來(lái),在發(fā)光的LED與受光的晶體管之間不論存在多么大的電位差都能夠?qū)崿F(xiàn)信號(hào)的交接。因此光耦合器應(yīng)用于電位差不同的電路間的信號(hào)交接、數(shù)字電路與模擬電路的GND-地的分離等場(chǎng)合。
表征光耦合器的重要特性是電流轉(zhuǎn)移比CTR(也叫做轉(zhuǎn)移效率)。CTR是流過(guò)輸入端LED的電流IF與相應(yīng)的輸出端晶體管的集電極電流I。之比/rF/IC,用“%”表示。一般的光耦合器中CTR的值為百分之幾至百分之幾百。CTR相當(dāng)于是光耦合器的hFE,所以在電路設(shè)計(jì)中必須充分予以考慮。
圖8.28是使用高速光耦合器6N136(HP)的CMOS數(shù)字電路間的連接電路。由于數(shù)字電路中間用光耦合器連接,所以可以把電路間的GND線分離,從而截?cái)郍ND線的電位差和噪聲。
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