使用MOSFET時(shí)與JFET不同，漏極SN74HC259N電流不受IDSS的限制，所以不需要過于在意漏極電流的設(shè)定值。
    作為電路中使用的MOSFET，應(yīng)該選擇漏極一源極間電壓的最大額定值VDSS和柵極一源極間電壓的最大額定值V GSS要高于電源電壓，漏極電流JD的最大額定值大于流過電路的漏極電流的器件。
    MOSFET有耗盡型和增強(qiáng)型兩種器件，耗盡型器件即使柵極電壓為OV也有漏極電流流過，是正常導(dǎo)通器件，它也許不適合在開關(guān)電路中應(yīng)用。在使用MOS-FET的開苯電路中，經(jīng)常采用2SK612之類的增強(qiáng)型器件。
    從傳輸特性就可以看出耗盡型器件與增強(qiáng)型器件的區(qū)別。如圖9.6所示，如果VGS-OV時(shí)的漏極電流為零則為增強(qiáng)型器件。開關(guān)用的MOSFET幾乎都是增強(qiáng)型器件。
    MOSFET器件中又分N溝型和P溝型兩種。圖9.7是用P溝MOSFET構(gòu)成的源極接地型開關(guān)電路。與圖9.5相比較它把電源與GND相互調(diào)換。但是P溝MOSFET的品種比N溝器件少得多，所以器件選擇的自由度小。
    這里按照VDSS >+5V，Vcss>+5V，ID>5mA的條件選擇功率開關(guān)用N溝MOSFET 2SK612(NEC)。
    表9.1是2SK612的性能參數(shù)。2SK612是作者常用的開關(guān)用MOSFET，在這個(gè)電路中也使用它。不過從表9.1可以看出這種器件對于圖9.5的電路也許有些浪費(fèi)。其實(shí)在這個(gè)電路中也可以使用功率容量小一些的器件。（這是一例中功率開關(guān)用N溝MOSFET。與JFET桕同，可以認(rèn)為正向傳輸導(dǎo)納lYfsl與跨導(dǎo)完全相同。但是與小信號JFET的相比，MOSFET要高出幾個(gè)數(shù)量級。另外，開關(guān)用的MOSFET的lyf。I等參數(shù)分檔次）。

    雙極晶體管采用達(dá)林頓連接可以提高電流增益。對于FET來說，由于沒有柵極電流流動(dòng)，所以沒有必要采用達(dá)林頓連接形式。因此即使對于流過大漏極電流的功率MOSFET器件，也可以用輸出電流小的TTL或者CMOS邏輯電路直接驅(qū)動(dòng)。
    但是功率容量大的MOSFET的輸入電容也大，所以在進(jìn)行高速開關(guān)的場合必須降低驅(qū)動(dòng)電路的輸出阻抗（為了能夠使器件的輸入電容高速充放電）。